[實用新型]用在塑材上濺射金屬中定位的夾具

有效

• 申請號: 200820199343.5
• 申請日: 2008-11-26
• 公開（公告）號: CN201317806Y
• 公開（公告）日: 2009-09-30
• 發明（設計）人: 林政乾
• 申請（專利權）人: 柏霆(蘇州)光電科技有限公司;柏騰科技股份有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司
• 代理人: 孫仿衛

技術領域

本實用新型涉及一種用在塑材上濺射金屬中定位的夾具，具體的說是一種用于將塑材工件在進行真空濺射金屬沉積薄膜工藝中進行定位的夾具。

背景技術

塑材工件的金屬鍍膜采用真空濺射，真空濺射設備腔體內的磁控金屬靶材，經通電金屬靶材外緣會產生大量的離子，通過惰性氣體撞擊金屬靶材，金屬離子會濺射出來并在塑材工件上沉積成金屬薄膜，這種產品的工藝中，需要夾具來配合完成。現有傳統技術中，利用數控機床或銑床加工技術，已經有這種夾具的制作，但這種夾具經過真空濺射設備測試驗證，不能在塑材工件上獲得織密穩定的薄膜，將進行再修改測試驗證，甚至于報廢夾具或塑材工件，浪費時間、人力，而且生產效率低。

發明內容

為了克服現有技術的不足，本實用新型的目的在于提供一種用于將塑材工件在進行真空濺射金屬沉積薄膜工藝中進行定位的夾具。

為解決以上技術問題，本實用新型采取的技術方案是：一種用在塑材上濺射金屬中定位的夾具，該夾具用于將塑材工件在進行真空濺射金屬沉積薄膜工藝中進行定位，所述的塑材工件包括鍍膜區和非鍍膜區，該夾具包括上框、底座、遮蔽裝置、真空離子減弱裝置，所述的底座上設置有用于將塑材工件定位在其上的定位裝置，所述的底座和上框上設置有相互配合作用的定位機構，該定位機構能對所述的底座和所述的上框之間進行定位；所述的遮蔽裝置用于對塑材工件的非鍍膜區進行遮蔽，所述的遮蔽裝置的尺寸和位置與所述塑材工件上的非鍍膜區尺寸和位置相對應；所述的真空離子減弱裝置用來減弱金屬離子對塑材工件上的鍍膜區的較薄弱易產生變形部位的濺射。

所述的定位裝置包括設置在底座上的多個定位銷，所述的多個定位銷與所述的塑材工件上的多個圓孔相配合，當塑材工件定位在所述的底座上時，所述的各定位銷分別插在所述塑材工件的相應圓孔內。

所述的定位機構包括設置在底座上的的至少一組角形立柱，該角形立柱的內側面形成一光滑的內弧面，所述的上框在位于與所述角形立柱相對應的位置設置有外弧面，當所述底座與上框相配合作用時，所述內弧面、外弧面相貼緊。

所述的遮蔽裝置中，一部分遮蔽裝置是一體設置在所述的上框的，另一部分遮蔽裝置為獨立設置。

所述的真空離子減弱裝置包括遮蔽塊、遮蔽隔離網，所述的真空離子減弱裝置設置在塑材工件上的鍍膜區的較薄弱易產生變形部位的上方。

所述遮蔽裝置上有斜向引導角。

所述的底座下設置有多個支撐裝置，所述的支撐裝置包括支撐柱、支撐塊，所述的支撐塊套在所述的支撐柱上用于支撐所述的底座。

由于本實用新型采用了以上的技術方案，其優點在于：塑材工件經本實用新型定位后進行濺射，能夠快速、準確的獲得織密穩定的沉積薄膜。

附圖說明

附圖1為本實用新型上框與底座示意圖；

附圖2為塑材工件示意圖；

附圖3為底座與塑材工件定位剖面圖；

附圖4為底座與上框定位示意圖；

附圖5為底座與上框定位剖面圖；

附圖6為夾具構造剖面圖；

附圖7為上框及遮蔽隔離網剖面圖；

附圖8為支撐裝置剖面圖；

附圖9為外插配件構造剖面圖；

附圖10為內遮配件構造剖面圖；

附圖11為塑材工件及遮蔽塊剖面圖；

其中：1、上框；2、底座；3、塑材工件；4、角形立柱；5、內弧面；6、外弧面；7、定位銷；8、內遮配件；9、外遮配件；10、遮蔽塊；11、遮蔽隔離網；12、支撐柱；13、支撐塊；14、熱熔柱；15、斜向引導角。

具體實施方式

如附圖1、附圖2、附圖3和附圖7所示，整個用在塑材上濺射金屬中定位的夾具根據具體的塑材工件3設計而成，該夾具包括上框1、底座2、遮蔽裝置、真空離子減弱裝置，塑材工件3包括鍍膜區和非鍍膜區，遮蔽裝置用來遮蔽非鍍膜區防止金屬離子濺射到非鍍膜區，真空離子減弱裝置用來減弱金屬離子對塑材工件3上的鍍膜區的較薄弱易產生變形部位的濺射。如附圖5、附圖6所示，上框1與底座2之間的定位機構包括設置在底座2上的一組角形立柱4，該角形立柱4的內側面形成一光滑的內弧面5，上框1在位于與角形立柱4相對應的位置設置有外弧面6，當底座2與上框1相配合作用時，所述內弧面5、外弧面6相貼緊。如附圖4所示，底座2與塑材工件3之間的定位裝置包括設置在底座2上的兩個定位銷7，定位銷7與塑材工件3上的兩個圓孔相配合，當塑材工件3定位在底座2上時，各定位銷7分別插在塑材工件3的相應圓孔內。如附圖11所示，遮蔽裝置包括內遮配件8，塑材工件3非鍍膜區上的一些部位如孔或凹槽等不需要鍍膜時，在上框1相應位置設置內遮配件8，內遮配件8能夠阻擋金屬離子對塑材工件3的非鍍膜區的濺射；如附圖10所示，遮蔽裝置還包括外遮配件9，塑材工件3非鍍膜區的一些部位如孔或凹槽等不需要鍍膜時，如果采用內遮配件8，孔或凹槽邊的鍍膜區不能進行鍍膜，該些部位沉積薄膜不能滿足要求，故設置外遮配件9，外遮配件9插入孔或凹槽里，外遮配件9不會遮蔽掉能夠濺射到鍍膜區的金屬離子；遮蔽裝置上設置有斜向引導角15，減少遮蔽裝置遮蔽掉能夠濺射到鍍膜區的金屬離子。如附圖8和附圖12所示，真空離子減弱裝置包括遮蔽塊10和遮蔽隔離網11，金屬離子濺射時會產生高溫，塑材工件3非鍍膜區的一些部位較薄弱容易產生變形，這些部位包括熱熔柱14、加強筋、缺口邊緣等，在這些部位的上方架設遮蔽塊10或遮蔽隔離網11，能夠引導離子使之不至于過于集中，從而降低該處塑材工件3的溫度，不致使塑材工件3產生變形。如附圖9所示，沉積薄膜厚度通過定位夾具與靶材的距離來調節，它們的距離通過更換夾具底座2下的支撐裝置來調整，支撐裝置包括支撐柱12、支撐塊13，支撐塊13套在支撐柱12上用于支撐底座2，不同的支撐裝置有不同的高度，更換不同高度的支撐裝置可以調節定位夾具與靶材的距離即改變了沉積薄膜的厚度。