[實(shí)用新型]一種高發(fā)光效率的蔭罩式等離子體顯示板

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200820185390.4
• 申請日: 2008-09-24
• 公開（公告）號: CN201256137Y
• 公開（公告）日: 2009-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李青;楊蘭蘭;屠彥;劉杰;張子南;王保平
• 申請（專利權(quán)）人: 東南大學(xué)
• 主分類號: H01J17/49
• 分類號: H01J17/49;H01J17/04
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 陸志斌

1、一種高發(fā)光效率的蔭罩式等離子體顯示板，包括前基板(1)、后基板(2)、蔭罩(3)，其中蔭罩(3)封裝在前基板(1)、后基板(2)之間，所述的前基板(1)包括前襯底玻璃基板(4)、掃描電極(5)、前基板介質(zhì)層(6)、前基板保護(hù)層(7)，掃描電極(5)平行在前襯底玻璃基板(4)上，前基板介質(zhì)層(6)覆蓋在掃描電極(5)上，前基板保護(hù)層(7)覆蓋在前基板介質(zhì)層(6)上；所述的后基板(2)包括后襯底玻璃基板(8)、立體尋址電極(9)、后基板介質(zhì)層(10)和后基板保護(hù)層(11)，立體尋址電極(9)平行設(shè)置在后襯底玻璃基板(8)上，后基板介質(zhì)層(10)覆蓋在立體尋址電極(9)上，后基板保護(hù)層(11)則覆蓋在后基板介質(zhì)層(10)上；立體尋址電極(9)與掃描電極(5)成空間垂直正交；蔭罩(3)為一厚度d為0.1～1.0mm的包含面孔(12)陣列和底孔(13)陣列的導(dǎo)電板，面孔(12)與底孔(13)屬于同一個(gè)放電單元的上下表面，前基板(1)相對的面孔(12)的面積是其與后基板(2)相對的底孔(13)面積的10～20倍，每一個(gè)面孔(12)的上開口(14)寬度為底孔(13)下開口(15)寬度的2～4倍；其特征在于：每一個(gè)面孔(12)的深度(16)是底孔(13)的深度(17)的2～4倍，掃描電極(5)與蔭罩(3)上的面孔(12)的上開口(14)面對放置并置于中間位置，立體尋址電極(9)與蔭罩(3)上的底孔(13)的下開口(15)呈嵌入狀態(tài)并置于中間位置；所述掃描電極(5)與立體尋址電極(9)組成介質(zhì)阻擋型交流放電型的基本單元，立體尋址電極(9)及后基板介質(zhì)層(10)嵌入在底孔(13)的空間里，使整體放電空間壓縮在面孔(12)的空間里，掃描電極(5)與立體尋址電極(9)的最短作用距離接近面孔(12)的深度(16)，在面孔(12)內(nèi)壁涂覆熒光粉層。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的高發(fā)光效率的蔭罩式等離子體顯示板，其特征在于：立體尋址電極(9)為高而窄的立體電極陣列，構(gòu)成向底孔(13)空間深入的立體尋址電極(9)，覆蓋在立體尋址電極(9)上面的后基板介質(zhì)層(10)的厚度與覆蓋在前基板(1)上的前基板介質(zhì)層(6)厚度相同。

3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的高發(fā)光效率的蔭罩式等離子體顯示板，其特征在于：立體尋址電極(9)及后基板介質(zhì)層(10)的高度是底孔深度(17)的0.3～0.7倍，立體尋址電極(9)及后基板介質(zhì)層(10)的總寬度是下開口寬度(15)的0.3～0.5倍，使立體尋址電極(9)及介質(zhì)層(10)構(gòu)成的陣列與底孔(13)及連接底孔(13)間的通槽(19)呈嵌入狀態(tài)。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的高發(fā)光效率的蔭罩式等離子體顯示板，其特征在于：立體尋址電極(9)及后基板介質(zhì)層(10)為多層電極與多層介質(zhì)層相間的結(jié)構(gòu)，第一層覆蓋在后基板襯底玻璃的立體尋址電極(9a)的寬度是底孔(13)下開口寬度(15)的0.2～0.4倍，厚度為4～10μm，覆蓋在上面的第一層后基板介質(zhì)層(10a)的面積為顯示板的有效顯示面積，厚度與前基板介質(zhì)層(6)的相同，在第一層后基板介質(zhì)層(10a)上對應(yīng)第一層立體尋址電極(9a)的位置制備第二層立體尋址電極(9b)陣列，寬度與第一層立體尋址電極(9a)相同，在有效顯示面積之外的電極引出端第一層立體尋址電極(9a)與第二層立體尋址電極(9b)連通，覆蓋在第二層立體尋址電極(9b)上面的第二層后基板介質(zhì)層(10b)的厚度與第一層后基板介質(zhì)層(10a)的相同，第二層后基板介質(zhì)層(10b)寬度為下開口寬度(15)的0.3～0.5倍，第二層后基板介質(zhì)層(10b)的長度小于尋址電極(9b)的長度，即在電極引出端沒有覆蓋，重復(fù)上述步驟繼續(xù)制備第三層立體尋址電極(9c)和第三層后基板介質(zhì)層(10c)，直至使立體尋址電極(9)及后基板介質(zhì)層(10)的總高度為底孔深度(17)的0.3～0.7倍，總寬度是底孔下開口寬度(15)的0.3～0.5倍。