[實用新型]一種電容存儲器

無效

• 申請號: 200820184658.2
• 申請日: 2008-12-17
• 公開（公告）號: CN201327832Y
• 公開（公告）日: 2009-10-14
• 發明（設計）人: 凌安海;馮勇
• 申請（專利權）人: 劍度投資有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司
• 代理人: 翁若瑩

技術領域

本實用新型涉及一種電容存儲器，尤其涉及一種使用半球形多晶硅(hemispherical?grain?poly-Si)和平板多晶硅(plate?poly-Si)作為電極并聯的電容存儲器，可用于動態隨機存儲器(Dynamic?Random?Access?Memory，DRAM)、光電一體化之小容量儲電裝置等領域)可增加電容存儲量，屬于電容存儲器技術領域。

背景技術

目前世界上采用的增強電容存儲的方式主要包括：

1)傳統的平板電容存儲器，如圖1所示，由襯底層1、磷摻雜平板形多晶硅層2、二氧化硅/氮化硅絕緣介質層3和磷摻雜平板形多晶硅層4組成，減薄二氧化硅/氮化硅絕緣介質層3的厚度到45-90nm量級從而縮短臨界尺寸(criticaldimension(CD))使得電容增加；

2)另外一個方法是維持電容在45-90nm的臨界尺寸的工藝上通過腐蝕更多活性硅形成深槽去彌補節點面積的損失；

3)傳統的半球形多晶硅電容存儲器，如圖2所示，由襯底5、磷摻雜半球形多晶硅層6、二氧化硅/氮化硅絕緣介質7和磷摻雜平板形多晶硅8組成，在沒有影響到臨界尺寸的情況下增加電容的電極的面積。

這三種電容存儲器的共同缺點是電容存儲量不夠大。

發明內容

本實用新型的目的是提供一種能增加電容存儲量的電容存儲器。

為實現以上目的，本實用新型的技術方案是提供一種電容存儲器，包括襯底、磷摻雜半球形多晶硅層、下二氧化硅/氮化硅絕緣介質和下磷摻雜平板形多晶硅，在襯底和下二氧化硅/氮化硅絕緣介質之間設有磷摻雜半球形多晶硅層，在下二氧化硅/氮化硅絕緣介質上面設有下磷摻雜平板形多晶硅，其特征在于，在襯底和磷摻雜半球形多晶硅層之間設有第一電極，在下磷摻雜平板形多晶硅上面設有第一氮化硅絕緣層，在下磷摻雜平板形多晶硅和第一氮化硅絕緣層上設有與之垂直的第一溝槽，在第一溝槽內設有第一鋁/銀層連接通道，在下磷摻雜平板形多晶硅和第一氮化硅絕緣層之間設有第二電極，在第一氮化硅絕緣層上面設有上磷摻雜平板形多晶硅層，在上磷摻雜平板形多晶硅層和上磷摻雜平板形多晶硅層之間設有上二氧化硅/氮化硅絕緣介質層，上二氧化硅/氮化硅絕緣介質層和磷摻雜平板形多晶硅層上設有與之垂直的第二溝槽，在上磷摻雜平板形多晶硅層上設有第二氮化硅絕緣層，在第二氮化硅絕緣層上設有第二鋁/銀層連接通道。

本實用新型采用半球形多晶硅(hemispherical?grain?poly-Si)和平板多晶硅(plate?poly-Si)作為電極的并聯結構，由于第一、二層平板電容的電極面積增強，采用此種并聯結構的電容存儲器的整體性能比傳統單一結構的半球形多晶硅電容或平板電容高40-50％左右。

本實用新型的優點是能增加電容存儲量。

附圖說明

圖1為平板電容存儲器結構示意圖；

圖2為半球形多晶硅電容存儲器結構示意圖；

圖3為本實用新型一種電容存儲器結構示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖和實施例對本實用新型作進一步說明。

實施例

如圖3所示，為本實用新型一種電容存儲器結構示意圖，一種電容存儲器由上磷摻雜平板形多晶硅層2、上二氧化硅/氮化硅絕緣介質層3、上磷摻雜平板形多晶硅層4、襯底5、磷摻雜半球形多晶硅層6、下二氧化硅/氮化硅絕緣介質7和下磷摻雜平板形多晶硅8、第一鋁/銀層連接通道9、第一溝槽10、第一電極11、第一氮化硅絕緣層12、第二氮化硅絕緣層13、第二溝槽14、第二鋁/銀層連接通道15和第二電極16組成。

分別制備厚度為20-50nm的第一電極11和第二電極16，厚度為40-100nm的磷摻雜半球形多晶硅層6，厚度為5-15nm的下二氧化硅/氮化硅絕緣介質7和上二氧化硅/氮化硅絕緣介質層3，厚度為40-100nm的下磷摻雜平板形多晶硅8和上磷摻雜平板形多晶硅層2厚度為40-100nm，厚度為20-50nm的第一氮化硅絕緣層12和第二氮化硅絕緣層13，寬度為70-130nm的第一溝槽10和第二溝槽14，厚度為30-60nm的第一鋁/銀層連接通道9和第二鋁/銀層連接通道15厚度為30-60nm。