[實用新型]一種電容存儲器

無效

• 申請號: 200820184658.2
• 申請日: 2008-12-17
• 公開（公告）號: CN201327832Y
• 公開（公告）日: 2009-10-14
• 發明（設計）人: 凌安海;馮勇
• 申請（專利權）人: 劍度投資有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司
• 代理人: 翁若瑩

1.一種電容存儲器，包括襯底(5)、磷摻雜半球形多晶硅層(6)、下二氧化硅/氮化硅絕緣介質(7)和下磷摻雜平板形多晶硅(8)，在襯底(5)和下二氧化硅/氮化硅絕緣介質(7)之間設有磷摻雜半球形多晶硅層(6)，在下二氧化硅/氮化硅絕緣介質(7)上面設有下磷摻雜平板形多晶硅(8)，其特征在于，在襯底(5)和磷摻雜半球形多晶硅層(6)之間設有第一電極(11)，在下磷摻雜平板形多晶硅(8)上面設有第一氮化硅絕緣層(12)，在下磷摻雜平板形多晶硅(8)和第一氮化硅絕緣層(12)上設有與之垂直的第一溝槽(10)，在第一溝槽(10)內設有第一鋁/銀層連接通道(9)，在下磷摻雜平板形多晶硅(8)和第一氮化硅絕緣層(12)之間設有第二電極(16)，在第一氮化硅絕緣層(12)上面設有上磷摻雜平板形多晶硅層(2)，在上磷摻雜平板形多晶硅層(2)和上磷摻雜平板形多晶硅層(4)之間設有上二氧化硅/氮化硅絕緣介質層(3)，上二氧化硅/氮化硅絕緣介質層(3)和磷摻雜平板形多晶硅層(4)上設有與之垂直的第二溝槽(14)，在上磷摻雜平板形多晶硅層(4)上設有第二氮化硅絕緣層(13)，在第二氮化硅絕緣層(13)上設有第二鋁/銀層連接通道(15)。

2.根據權利要求1所述的一種電容存儲器，其特征在于，所述的第一電極(11)和第二電極(16)厚度為20-50nm。

3.根據權利要求1所述的一種電容存儲器，其特征在于，所述的磷摻雜半球形多晶硅層(6)厚度為40-100nm。

4.根據權利要求1所述的一種電容存儲器，其特征在于，所述的下二氧化硅/氮化硅絕緣介質(7)和上二氧化硅/氮化硅絕緣介質層(3)的厚度為5-15nm，。

5.根據權利要求1所述的一種電容存儲器，其特征在于，所述的下磷摻雜平板形多晶硅(8)和上磷摻雜平板形多晶硅層(2)厚度為40-100nm。

6.根據權利要求1所述的一種電容存儲器，其特征在于，所述的第一氮化硅絕緣層(12)和第二氮化硅絕緣層(13)厚度為20-50nm。

7.根據權利要求1所述的一種電容存儲器，其特征在于，所述的第一溝槽(10)和第二溝槽(14)寬度為70-130nm。

8.根據權利要求1所述的一種電容存儲器，其特征在于，所述的第一鋁/銀層連接通道(9)和第二鋁/銀層連接通道(15)厚度為30-60nm。