[實用新型]一種硅片放置裝置無效
| 申請號: | 200820179591.3 | 申請日: | 2008-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN201421837Y | 公開(公告)日: | 2010-03-10 |
| 發明(設計)人: | 陶凌;陳世強 | 申請(專利權)人: | 無錫市奧曼特科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 214000江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 硅片 放置 裝置 | ||
【權利要求書】:
1、一種硅片放置裝置由上板、中間板、底板、前擋桿、中間擋桿和后擋桿組成;其特征在于:所述的上板、中間板和底板為圓形,外徑大小一致,三者為垂直方向同軸平行放置,齒槽內側邊緣的垂直方向均設置有前擋桿、中間擋桿和后擋桿,上板、中間板、前擋桿、中間擋桿和后擋桿形成了一個中空框。
2、根據權利要求書1所述的一種硅片放置裝置,其特征在于:所述的上板和中間板邊緣均設置有“凸”字形齒槽。
3、根據權利要求書1所述的一種硅片放置裝置,其特征在于:所述的底板中心位置設有圓孔,四周環繞平均分布有多個橢圓形孔。
下載完整專利技術內容需要扣除積分,VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于無錫市奧曼特科技有限公司,未經無錫市奧曼特科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200820179591.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:引導式熔化爐
- 下一篇:一種均勻供氣的冷凝器
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





