[實用新型]基板處理裝置無效
| 申請號: | 200820179387.1 | 申請日: | 2008-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN201417757Y | 公開(公告)日: | 2010-03-03 |
| 發明(設計)人: | 廣城幸吉;山本秀幸;竹下和宏;戶島孝之 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;B08B3/04 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 曾祥夌;楊松齡 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及基板處理裝置,尤其涉及將基板浸入貯存的處理液中而進行基板處理的處理槽的構造。
背景技術
傳統上,為了對半導體晶片及玻璃基板等基板施以蝕刻及清洗等各種處理,廣泛利用基板處理裝置。作為基板處理裝置,公知的一種裝置是,通過在處理槽中預先貯存蝕刻液及清洗液等處理液,將由基板支持體支持的多枚基板浸入處理槽內的處理液中,同時處理多枚基板。
在這種基板處理裝置中,在處理槽的下部配置左右一對噴嘴,同時處理槽的上部開口。并且,從噴嘴供給的處理液會從處理槽的上部開口溢出。
然而,在上述基板處理裝置中,從噴嘴供給的處理液在處理槽內上升,然后在處理槽的上部開口附近沿液面流向處理槽的側壁。這種處理液的一部分超出處理槽的側壁上緣部而從處理槽溢出。另一方面,一部分處理液沿處理槽的側壁下降而流入處理槽內部,不會與處理槽的上緣部碰撞而溢出。
處理槽外部的粉塵及藥液噴霧等異物往往會在液面附近滯留。另外,處理槽外部的空氣(氧)會在液面附近混入處理液中。因此,如果沿處理槽的上部開口附近的液面流動的處理液再次流入處理槽的內部,則異物及空氣等有可能與處理液一同流入處理槽的內部。其結果是有可能產生以下問題:異物附著在基板上而使基板受到污染,基板處理不均勻以及處理速度下降。
公知的是,為了解決以上問題,特開2006-179758號公報所公開的對策。如圖6所示,在公開的基板處理裝置中,在處理槽101的下部設有左右一對噴嘴102,103,從噴嘴102,103供給的處理液貯存在處理槽101中。然后,通過將由基板保持體104保持的基板105浸入處理液中,進行基板105的處理。另外,在特開2006-179758號公報所公開的基板處理裝置中,在處理槽101的上方端部形成有向外側伸出的伸出部106,107。在此基板處理裝置中,沿處理槽101的上部開口附近的液面流動的處理液經由伸出部106,107容易排出。
然而,在上述特開2006-179758號公報的基板處理裝置中,因為在處理槽101的上方端部僅形成伸出部106,107,所以在處理槽101的內部處理液如圖6中示意所示地流動。也就是說,在基板105的橫向上的中央部分附近,在處理槽內上升、在處理液的液面附近沿液面、從中心向外而沿橫向流動的處理液(如圖6中箭頭108,109所示而流動的處理液),與在比基板105橫向上的中央部分附近位于橫向上更外側的部分,在處理槽內上升、在比處理液的液面稍下方流動的處理液(如圖6中箭頭110,111,112,113所示流動的處理液),在伸出部106,107的附近碰撞。碰撞的結果是:在伸出部106,107的附近,在處理液流中會發生停滯。
其結果是:在上述特開2006-179758號公報的基板處理裝置中,在處理液的液面附近沿液面從中心向外、沿橫向流動的處理液(如箭頭109所示而流動的處理液),即在液面附近異物及空氣等可能混入的處理液不從伸出部106,107排出,流入處理槽101的內部。因此導致了基板受到污染,處理不均勻及處理速度下降。
實用新型內容
根據本實用新型的基板處理裝置是一種將基板浸入貯存的處理液中而進行基板的處理的基板處理裝置,其特征在于:設有至少具有相向配置的一對側壁的處理槽和分別對應于上述一對側壁而設置、向上述處理槽內供給處理液的一對處理液供給機構;上述一對處理液供給機構構成為,向連接上述一對側壁的寬度方向上的上述處理槽內的中央側供給處理液,由此在上述處理槽內上述寬度方向上的中央區域形成上升流;上述一對側壁的各自內壁面包括本體部、位于上述本體部上方的突出部以及位于最上方、形成上述處理液溢出的排出口的排出導向部;上述排出導向部向上且朝上述寬度方向的中央側的對側傾斜;上述突出部包括在上述寬度方向上比上述本體部的上方端部及上述排出導向部的下方端部更位于上述中央側的內端部。
在根據本實用新型的基板處理裝置中,在將上述基板容納在上述處理槽內時,上述突出部的上述內端部也可以比上述基板的上方端部位于更上方。
另外,在根據本實用新型的基板處理裝置中,上述突出部也可以具有向上且朝上述寬度方向上的上述中央側傾斜的內方傾斜部和位于內方傾斜部的上方、向上且朝上述寬度方向的上述中央側的對側傾斜的外方傾斜部。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





