[實用新型]基板處理裝置無效
| 申請號: | 200820179387.1 | 申請日: | 2008-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN201417757Y | 公開(公告)日: | 2010-03-03 |
| 發明(設計)人: | 廣城幸吉;山本秀幸;竹下和宏;戶島孝之 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;B08B3/04 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 曾祥夌;楊松齡 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置,將基板浸入貯存的處理液中而進行基板的處理,其特征在于,
設有:至少具有相向配置的一對側壁的處理槽;以及
分別對應于所述一對側壁而設、向所述處理槽內供給處理液的一對處理液供給機構,
所述一對處理液供給機構構成為:向連接所述一對側壁的寬度方向上的所述處理槽內的中央側供給處理液,由此在所述處理槽內所述寬度方向的中央區域形成上升流,
所述一對側壁的各自的內壁面包括本體部、位于所述本體部上方的突出部以及位于最上方、形成所述處理液溢出的排出口的排出導向部,
所述排出導向部向上且朝所述寬度方向的中央側的對側傾斜,
所述突出部包括在所述寬度方向上比所述本體部的上方端部和所述排出導向部的下方端部更靠近所述中央側的內端部。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述突出部的所述內端部,在所述基板容納在所述處理槽內時,位于所述基板的上方端部的上方。
3.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述突出部具有向上且朝所述寬度方向的所述中央側傾斜的內方傾斜部和位于內方傾斜部的上方、向上且朝所述寬度方向的所述中央側的對側傾斜的外方傾斜部。
4.根據權利要求3所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述排出導向部與突出部鄰接而配置,
所述排出導向部從所述突出部的所述外方傾斜部的上方端部伸出。
5.根據權利要求4所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述排出導向部的下方端部相對于所述寬度方向的傾斜角,小于所述突出部的外方傾斜部的上方端部相對于所述寬度方向的傾斜角。
6.根據權利要求4所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述排出導向部的下方端部相對于所述寬度方向的傾斜角,等于所述突出部的外方傾斜部的上方端部相對于所述寬度方向的傾斜角。
7.根據權利要求4所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述突出部的外方傾斜部的上方端部相對于所述寬度方向的傾斜角為5°以上、70°以下。
8.根據權利要求4所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述排出導向部的下方端部相對于所述寬度方向的傾斜角為5°以上、70°以下。
9.根據權利要求3所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述突出部與所述本體部鄰接而配置,
所述突出部的所述內方傾斜部從所述本體部的上方端部伸出。
10.根據權利要求3所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述突出部還具有配置在所述內方傾斜部與所述外方傾斜部之間、連接所述內方傾斜部和所述外方傾斜部的中間部。
11.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述突出部構成為:使成為所述上升流、到達所述處理槽內的上方區域,然后在所述寬度方向上從所述中央側流向所述側壁一側的處理液,分流為從所述排出口排出的處理液和在所述處理槽內環流的處理液。
12.根據權利要求11所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述突出部構成為:使從所述排出口排出的處理液,在作為所述上升流在所述處理槽內上升時,比在所述處理槽內環流的處理液在所述寬度方向上更靠近所述中央側流動。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





