[實用新型]AB類LDMOS線性功率放大器的效率調整裝置

無效

• 申請號: 200820175445.3
• 申請日: 2008-10-30
• 公開（公告）號: CN201303314Y
• 公開（公告）日: 2009-09-02
• 發明（設計）人: 楊科;張瑾
• 申請（專利權）人: 中興通訊股份有限公司
• 主分類號: H03F1/02
• 分類號: H03F1/02
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 尚志峰;吳孟秋

技術領域

本實用新型涉及通信領域，并且特別地，涉及一種AB類側面擴散金屬氧化物半導體(Laterally?Diffused?Metal?OxideSemiconductor，LDMOS)線性功率放大器的效率調整裝置。

背景技術

目前，LDMOS功率晶體管憑借其高線性、高增益及高效率等優點而在多載頻線性功率放大器中被廣泛采用。

通常，效率是描述線性功率放大器的一個重要的指標。在各種類型的LDMOS功率晶體管中，AB類LDMOS功率放大器效率的大小除了與功率回退、阻抗匹配有關外，還受LDMOS功率晶體管的靜態工作點的影響也很大。在一定功率回退的情況下，對應放大器的最小三階交調值通常有一個最佳靜態工作點。對于目前常見的A類、B類和AB類的放大器，其區別僅在于靜態工作點的選擇不同。

在實際應用中，針對大功率線性功放的AB類的放大器，總是希望在保證其指標要求的前提下，降低成本并且提高其效率。通常的做法是改變功放的狀態，使其盡量偏向于B類，這是因為B類放大器的效率會高于AB類放大器。目前，已經提出了能夠提高AB類LDMOS線性功率放大器的效率的技術，例如，Doherty技術，但是目前提出的技術為了達到提高放大器效率這一目的所需要的成本很高，設計和調試復雜，難以實現。目前，尚未提出能夠以低成本為代價實現提高放大器效率的目的的技術方案。

實用新型內容

考慮到相關技術中提高放大器效率的技術成本高、設計和調試復雜、難以實現的問題而做出本實用新型，為此，本實用新型的主要目的在于提供一種AB類側面擴散金屬氧化物半導體線性功率放大器的效率調整裝置。

根據本實用新型的AB類側面擴散金屬氧化物半導體線性功率放大器的效率調整裝置包括：

耦合器，連接至載頻輸入端，用于對輸入其中的載頻信號進行功率耦合并輸出得到的耦合信號；

檢波器，連接至耦合器，用于將耦合器輸出的耦合信號轉換為電壓信號并輸出電壓信號；

柵極偏置電路，連接至檢波器，用于對檢波器輸出的電壓信號進行電壓調整，并將調整后的電壓信號輸出到側面擴散金屬氧化物半導體功率晶體管的柵極，其中，側面擴散金屬氧化物半導體的柵極連接至載頻輸入端。

可選地，耦合器可以為電阻直接耦合器。

可選地，耦合器可以為定向耦合器。

可選地，檢波器可以為包絡檢波管。

可選地，檢波器可以為均方根檢波管。

借助本實用新型的上述技術方案，通過耦合器、檢波器、和柵極偏置電路來調整側面擴散金屬氧化物半導體功率晶體管的柵極電壓，能夠有效改變側面擴散金屬氧化物半導體功率晶體管的靜態工作點，從而以低成本、簡單易行的方式有效提高了側面擴散金屬氧化物半導體功率晶體管的大的工作效率，解決了相關技術中提高放大器效率的技術成本高、設計和調試復雜、難以實現的問題；并且本實用新型可以廣泛的應用在AB類多載頻線性功放中，具有良好的適用性。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，構成本申請的一部分，本實用新型的示意性實施例及其說明用于解釋本實用新型，并不構成對本實用新型的不當限定。在附圖中：

圖1是根據本實用新型實施例的AB類側面擴散金屬氧化物半導體線性功率放大器的效率調整裝置的框圖；

圖2是根據本實用新型的N溝道增強型側面擴散金屬氧化物半導體功率放大器在不同的靜態工作點增益隨輸出功率大小的曲線示意圖。

具體實施方式

功能概述

針對相關技術中提高放大器效率的技術成本高、設計和調試復雜、難以實現的問題而做出本實用新型，本實用新型在LDMOS功率晶體管的柵極設置了柵極偏置電路，這樣在應用時就能夠通過柵極偏置電路改變LDMOS功率晶體管的柵極電壓，從而改變功率晶體管的靜態工作點，改進功率晶體管的效率。

如圖1所示，根據本實用新型的AB類LDMOS線性功率放大器的效率調整裝置由以下幾部分組成：耦合器101、檢波器102、柵極偏置電路103、以及LDMOS功率晶體管104，如圖1所示。其中，耦合器101用可調電容或固定電容實現；檢波器102為普通的微波二極管檢波器；柵極偏置電路103為阻容網絡，用于實現濾波和調整柵極電壓的功能。