[實(shí)用新型]AB類LDMOS線性功率放大器的效率調(diào)整裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200820175445.3 | 申請日： | 2008-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN201303314Y | 公開（公告）日： | 2009-09-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊科;張瑾 | 申請（專利權(quán)）人： | 中興通訊股份有限公司 |
| 主分類號： | H03F1/02 | 分類號： | H03F1/02 |
| 代理公司： | 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 尚志峰;吳孟秋 |
| 地址： | 518057廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | ab ldmos 線性 功率放大器 效率 調(diào)整 裝置 | ||
1.一種AB類側(cè)面擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體線性功率放大器的效率調(diào)整裝置，其特征在于，包括：
耦合器，連接至載頻輸入端，用于對輸入其中的載頻信號進(jìn)行功率耦合并輸出得到的耦合信號；
檢波器，連接至所述耦合器，用于將所述耦合器輸出的所述耦合信號轉(zhuǎn)換為電壓信號并輸出所述電壓信號；
柵極偏置電路，連接至所述檢波器，用于對所述檢波器輸出的所述電壓信號進(jìn)行電壓調(diào)整，并將調(diào)整后的所述電壓信號輸出到側(cè)面擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體功率晶體管的柵極，其中，所述側(cè)面擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體的所述柵極連接至所述載頻輸入端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述耦合器為電阻直接耦合器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述耦合器為定向耦合器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述檢波器為包絡(luò)檢波管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述檢波器為均方根檢波管。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中興通訊股份有限公司，未經(jīng)中興通訊股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200820175445.3/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
