[實用新型]晶體硅太陽電池

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200820169137.X
• 申請日: 2008-11-28
• 公開（公告）號: CN201323200Y
• 公開（公告）日: 2009-10-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 甘旭;黃岳文;李華維;季凱春;陳斌;孫勵斌;徐曉群;殷海亭;李志強;唐則祁;胡宏勛
• 申請（專利權(quán)）人: 寧波尤利卡太陽能科技發(fā)展有限公司
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042
• 代理公司: 寧波市鄞州甬致專利代理事務(wù)所
• 代理人: 王樹鏞

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種晶體硅太陽電池。

背景技術(shù)

目前，制約太陽電池廣泛應(yīng)用的兩個關(guān)鍵問題是：1、光電轉(zhuǎn)換效率；2、成本。晶體硅太陽電池因其成本低、便于大規(guī)模生產(chǎn)等優(yōu)點而普遍受到人們的重視并得到迅速發(fā)展。晶體硅太陽電池的現(xiàn)有技術(shù)是通過在晶體硅太陽電池表面沉積一層氮化硅減薄膜來降低太陽電池板上的光反射率以提高晶體硅太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率，一般做法是采用PECVD技術(shù)在晶體硅太陽電池的受光面上沉積一層減反射薄膜，即氮化硅薄膜，從而達到提高光電轉(zhuǎn)換效率的目的。這種結(jié)構(gòu)雖然在一定程度上降低了晶體硅太陽電池的光反射率，但是現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)的晶體硅太陽電池的光反射率仍然比較高，不利于光電轉(zhuǎn)換效率的提高。

實用新型內(nèi)容

本實用新型要解決的技術(shù)問題是，提供一種進一步降低光反射率以提高光電轉(zhuǎn)換效率的晶體硅太陽電池。

本實用新型的技術(shù)方案是，提供一種晶體硅太陽電池，它包括貼合在晶體硅太陽電池受光面上的第一氮化硅薄膜層，它還包括一層不同折射率、不同厚度的第二氮化硅薄膜層，所述的第二氮化硅薄膜層貼合在所述第一氮化硅薄膜層的表面。

采用以上結(jié)構(gòu)后，本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點：

本實用新型晶體硅太陽電池在現(xiàn)有的氮化硅薄膜基礎(chǔ)上又貼合了一層不同折射率、不同厚度的氮化硅薄膜，可進一步降低太陽電池受光面上的反射率，從而進一步提高晶體硅太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

附圖說明

附圖是本實用新型的結(jié)構(gòu)圖。

圖中所示1、受光面，2、第一氮化硅薄膜層，3、第二氮化硅薄膜層。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步說明。

如附圖所示，本實用新型是一種晶體硅太陽電池，它包括貼合在晶體硅太陽電池受光面1上的第一氮化硅(SiNx)薄膜層2，它還包括一層不同折射率、不同厚度的第二氮化硅(SiNx)薄膜層3，所述第二氮化硅(SiNx)薄膜層3貼合在所述第一氮化硅(SiNx)薄膜層2的表面。

本實用新型采用PECVD技術(shù)在晶體硅太陽電池的受光面1沉積一雙層氮化硅(SiNx)的減反射膜。

根據(jù)光的干涉原理可得，單層減反射膜的減反射效果是有限的，因此需要雙層減反射膜或多層減反射膜來進一步減少反射。在實際的半導(dǎo)體表面的反射率與入射光的波長有關(guān)，一般為30～50％。為防止表面的反射，在半導(dǎo)體表面制備折射率介于半導(dǎo)體和空氣折射率之間的透明薄膜層。這個薄膜層稱為減反射膜。

設(shè)半導(dǎo)體、減反射膜、空氣的折射率分別為n₂、n₁、n₀，減反射膜厚度為d₁，λ為波長，則根據(jù)需要滿足的公式：

r₁＝(n₀-n₁)/(n₀+n₁)

r₂＝(n₁-n₂)/(n₁+n₂)

θ＝2πn₁d₁/λ

顯然，減反射膜的厚度d₁為1/4波長時，R為最小。

因此，根據(jù)上面的公式得出，所述第一氮化硅(SiNx)薄膜的折射率為2.3～2.6，所述第一氮化硅(SiNx)薄膜層2的厚度為55～65nm；所述第二氮化硅(SiNx)薄膜的折射率為1.4～1.7，所述第二氮化硅(SiNx)薄膜層3的厚度為85～110nm。

另外，根據(jù)試驗數(shù)據(jù)表明：晶體硅太陽電池在采用單層氮化硅(SiNx)薄膜作為減反射薄膜時，晶體硅太陽電池電流密度為33.5mA/cm2，而采用雙層氮化硅(SiNx)薄膜作為減反射薄膜時，晶體硅電池電流密度為34.2mA/cm2，短路電流密度提高2％。因此，可得出本實用新型使用的雙層氮化硅(SiNx)薄膜相對于單層氮化硅(SiNx)薄膜，其反射率降低，光電轉(zhuǎn)換效率有了一定地提高。