[實用新型]晶體硅太陽電池

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200820169137.X
• 申請日: 2008-11-28
• 公開（公告）號: CN201323200Y
• 公開（公告）日: 2009-10-07
• 發(fā)明（設計）人: 甘旭;黃岳文;李華維;季凱春;陳斌;孫勵斌;徐曉群;殷海亭;李志強;唐則祁;胡宏勛
• 申請（專利權）人: 寧波尤利卡太陽能科技發(fā)展有限公司
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042
• 代理公司: 寧波市鄞州甬致專利代理事務所
• 代理人: 王樹鏞

1、一種晶體硅太陽電池，它包括貼合在晶體硅太陽電池受光面(1)上的第一氮化硅薄膜層(2)，其特征在于：它還包括一層不同折射率、不同厚度的第二氮化硅薄膜層(3)，所述的第二氮化硅薄膜層(3)貼合在所述第一氮化硅薄膜層(2)的表面。

2、根據(jù)權利要求1所述的晶體硅太陽電池，其特征在于：所述第一氮化硅薄膜的折射率為2.3～2.6，所述第一氮化硅薄膜層(2)的厚度為55～65nm。

3、根據(jù)權利要求1所述的晶體硅太陽電池，其特征在于：所述第二氮化硅薄膜的折射率為1.4～1.7，所述第二氮化硅薄膜層(3)的厚度為85～110nm。