[實用新型]開關電源的占空比檢測電路及開關電源頻率檢測電路

無效

• 申請號: 200820169067.8
• 申請日: 2008-12-04
• 公開（公告）號: CN201374646Y
• 公開（公告）日: 2009-12-30
• 發明（設計）人: 姚云龍
• 申請（專利權）人: 杭州士蘭微電子股份有限公司
• 主分類號: H02M3/156
• 分類號: H02M3/156
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.開關電源占空比檢測電路，其特征在于包括開關控制模塊、充電電壓/電流轉換模塊、充電電流鏡像模塊、放電電壓/電流轉換模塊、放電電流鏡像模塊、電容C2，輸入信號Vi輸入所述的開關控制模塊，電容C2的一端連接充電電壓/電流轉換模塊、放電電壓/電流轉換模塊、充電電流鏡像模塊、放電電流鏡像模塊，電容C2的另一端接地，充電電壓/電流轉換模塊連接充電電流鏡像模塊，放電電壓/電流轉換模塊連接放電電流鏡像模塊，充電電壓/電流轉換模塊、充電電流鏡像模塊、放電電壓/電流轉換模塊、放電電流鏡像模塊或電容C2輸出包含占空比信息的值，開關控制模塊的輸出連接控制

(1)充電電壓/電流轉換模塊和放電電壓/電流轉換模塊的輸入或輸出，或；

(2)充電電壓/電流轉換模塊和放電電流鏡像模塊的輸入或輸出，或；

(3)充電電流鏡像模塊和放電電壓/電流轉換模塊的輸入或輸出，或；

(4)充電電流鏡像模塊和放電電流鏡像模塊的輸入或輸出。

2.如權利要求1所述的開關電源占空比檢測電路，其特征在于當輸入信號Vi為高電平時，充電電壓/電流轉換模塊將電容電壓Vc轉換成電流，充電電流鏡像模塊將充電電壓/電流轉換模塊的輸出電流鏡像，充電電流鏡像模塊對電容C2充電；當輸入信號Vi為低電平時，放電電壓/電流轉換模塊將電容電壓Vc轉換成電流，放電電流鏡像模塊將放電電壓/電流轉換模塊的輸出電流鏡像，放電電流鏡像模塊對電容C2放電。

3.如權利要求1所述的開關電源占空比檢測電路，其特征在于還包括電流/電壓轉換模塊，所述的電流/電壓轉換模塊將放電電流鏡像模塊輸出的電流轉換為電壓。

4.如權利要求1所述的開關電源占空比檢測電路，其特征在于所述的充電電壓/電流轉換模塊包括運算放大器A1，PMOS晶體管M9，電阻R_A，所述運算放大器A1的輸入正端連接電容C2，運算放大器A1的輸入負端接電阻R_A的一端和M9的源極，運算放大器A1的輸出端接M9的柵極，電阻R_A的另一端接入電位V_A，M9的漏極連接所述的充電電流鏡像模塊。

5.如權利要求1所述的開關電源占空比檢測電路，其特征在于所述的放電電壓/電流轉換模塊包括運算放大器A2，NMOS晶體管管M12，電阻R_B，所述運算放大器A2的輸入正端連接電容C2，運算放大器A2的輸入負端接電阻R_B的一端和M12的源極，運算放大器A2的輸出端連接M12的柵極，電阻R_B的另一端接入電位V_B，M12的漏極連接所述的放電電流鏡像模塊。

6.如權利要求1所述的開關電源占空比檢測電路，其特征在于所述的充電電流鏡像模塊包括第一充電電流鏡像電路和第二充電電流鏡像電路：

所述的第一充電電流鏡像電路由共柵極、共源極連接的NMOS晶體管M10和NMOS晶體管M11組成，M10的漏極、柵極連接到充電電壓/電流轉換模塊M9的漏極，M11的漏極連接第二充電電流鏡像電路；

所述的第二充電電流鏡像電路由共柵極、共源極連接的PMOS晶體管M7和M8組成，M7和M8的源極接電源V_DD，M8的漏極、柵極連接第一充電電流模塊的M11的漏極，M7的漏極連接所述的開關控制模塊。

7.如權利要求1所述的開關電源占空比檢測電路，其特征在于所述的放電電流鏡像模塊包括第一放電電流鏡像電路和第二放電電流鏡像電路：

所述的第一放電電流鏡像電路由共柵極、共源極連接的NMOS晶體管M1和M2組成，M1的漏極、柵極連接開關控制模塊，M2的漏極、柵極連接第二放電電流鏡像模塊；

所述的第二放電電流鏡像電路由共柵極、共源極連接的PMOS晶體管M13、M14組成，M13和M14的源極接電源V_DD，M13的漏極、柵極連接所述的放電電壓/電流轉換模塊的M12漏極，M14的漏極連接第一放電電流鏡像模塊的M2漏極。