[實用新型]半導(dǎo)體硅片清洗裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200820157481.7
• 申請日: 2008-12-19
• 公開（公告）號: CN201348988Y
• 公開（公告）日: 2009-11-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張晨騁
• 申請（專利權(quán)）人: 上海集成電路研發(fā)中心有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/02;H01L21/683;B08B3/12
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 鄭 瑋

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種工業(yè)清洗裝置，特別涉及一種應(yīng)用在半導(dǎo)體硅片的清洗裝置。

背景技術(shù)

伴隨集成電路制造工藝的不斷進步，半導(dǎo)體器件的體積正變得越來越小，這也導(dǎo)致了非常微小的顆粒也變得足以影響半導(dǎo)體器件的制造和性能，所以，硅片清洗工藝也變得越來越重要。目前的清洗方法主要有兩種：批次清洗和單片式清洗。單片式清洗方法由于可以更好的控制藥液在硅片表面的分布，同時硅片自身高速旋轉(zhuǎn)也使得硅片表面的藥液具有更高的相對速度，因此單片式清洗方法具有化學(xué)品消耗量少的優(yōu)點，始終都使用全新的化學(xué)品，能夠有效防止交叉污染，清洗效果更強以及工藝穩(wěn)定性更好。因此，在先進的集成電路制造工藝中，單片式清洗方式正越來越成為主要的清洗方式。

半導(dǎo)體芯片制造工藝對于清洗的要求變得越來越高，同時成本壓力也越來越大，因此，在確保清洗效率的前提下，高效率且低成本的硅片清洗工藝就成為了一個重要的制造環(huán)節(jié)。但是，目前業(yè)界廣泛采用的單片式清洗方法中，每一個工藝腔一次只能清洗一枚硅片，要增加設(shè)備的產(chǎn)能，就必須增加更多的工藝腔，設(shè)備成本很高，相對于一些批次浸沒式清洗設(shè)備，同等腔體體積的單片式清洗設(shè)備的，其產(chǎn)能有明顯的差距。因此，需要提出一種更高效率的單片式清洗設(shè)備。

實用新型內(nèi)容

本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種半導(dǎo)體硅片清洗裝置，使單個工藝腔能以單片清洗的方式同時處理多枚硅片。

為解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供一種半導(dǎo)體硅片清洗裝置，包括腔體，所述腔體底部連接有一旋轉(zhuǎn)平臺，所述旋轉(zhuǎn)平臺中嵌設(shè)有超聲波發(fā)生裝置，其特征在于，所述旋轉(zhuǎn)平臺上對應(yīng)于超聲波發(fā)生裝置上方的位置設(shè)有若干用于支撐并固定硅片的支架，所述超聲波發(fā)生裝置設(shè)有若干出水孔，所述腔體頂部設(shè)有若干噴嘴。

進一步的，所述旋轉(zhuǎn)平臺直徑為20～50英寸。

進一步的，所述旋轉(zhuǎn)平臺上放置2～6枚硅片，所述硅片尺寸為4～12英寸。

進一步的，所述旋轉(zhuǎn)平臺轉(zhuǎn)速為500～3000轉(zhuǎn)/分鐘。

進一步的，所述超聲波發(fā)生裝置工作頻率為0.25～2兆赫茲，投射到硅片背面的功率為0.5～5瓦特/平方厘米。

進一步的，所述出水孔直徑為1/4～1/2英寸。

進一步的，所述噴嘴的噴灑方式為高壓噴灑或無壓重力下流方式。

進一步的，所述硅片以真空吸附的方式固定于所述支架上。

與現(xiàn)有技術(shù)的單片式清洗相比，本實用新型通過在旋轉(zhuǎn)平臺上設(shè)置有固定若干個硅片的裝置進行清洗，使單個工藝腔能以單片清洗的方式同時處理多枚硅片，在占地面積和其他成本增加不多的情況下，使設(shè)備的產(chǎn)能成倍增加，提升了生產(chǎn)率。

附圖說明

以下結(jié)合附圖和具體實施方式對本實用新型的半導(dǎo)體清洗裝置作進一步的詳細說明。

圖1是本實用新型半導(dǎo)體硅片清洗裝置的俯視圖；

圖2是圖1沿A-A截面的剖視圖。

具體實施方式

請參閱圖1以及圖2所示的半導(dǎo)體硅片清洗裝置，包括腔體1，所述腔體1底部連接有一旋轉(zhuǎn)平臺5，所述旋轉(zhuǎn)平臺5與外部電機(未標(biāo)示)連接，通過外部電機驅(qū)動所述旋轉(zhuǎn)平臺5進行旋轉(zhuǎn)，所述旋轉(zhuǎn)平臺5上設(shè)有若干用于支撐并固定硅片的支架3，所述支架3可以通過真空吸附的方式將硅片2吸附，從而所述硅片2可以跟隨所述旋轉(zhuǎn)平臺5一起轉(zhuǎn)動，所述旋轉(zhuǎn)平臺5中嵌設(shè)有超聲波發(fā)生裝置4，當(dāng)所述旋轉(zhuǎn)平臺5以及所述支架3圍繞所述旋轉(zhuǎn)平臺5的軸心旋轉(zhuǎn)時，所述超聲波發(fā)生裝置4固定不動，所述超聲波裝置4對應(yīng)所述硅片2的位置處設(shè)有若干出水孔6，所述出水孔6可以根據(jù)所述硅片2的大小以及固定在所述支架3上的位置而調(diào)整，所述出水孔6直徑為1/4～1/2英寸，本實施例中，所述出水孔6為8個，優(yōu)選地，所述出水孔6以所述旋轉(zhuǎn)平臺5的軸心為圓心、以所述旋轉(zhuǎn)平臺5軸心到所述硅片2中心位置的距離為半徑呈等角度分布在所述超聲波發(fā)生裝置4內(nèi)，從而達到更好的清洗效果。在所述腔體1頂部設(shè)有若干噴嘴7用于噴灑清洗劑以及干燥氣體，所述噴嘴7可根據(jù)所述旋轉(zhuǎn)平臺5旋轉(zhuǎn)平面的大小以及所述硅片2需要清洗的清洗劑的種類而設(shè)定，本實施例中，所述噴嘴7為9個。

所述旋轉(zhuǎn)平臺5上可以放置2～6枚所述硅片2，本實施例中，所述硅片2數(shù)量為4枚，由位于所述旋轉(zhuǎn)平臺5上的所述支架3將所述硅片2吸附并固定，所述硅片2的尺寸為4～12英寸，所述旋轉(zhuǎn)平臺5的大小可以根據(jù)放置所述硅片2的數(shù)量以及所述硅片2尺寸來決定，其直徑范圍為20～50英寸。