[實用新型]半導體硅片清洗裝置

有效

• 申請號: 200820157481.7
• 申請日: 2008-12-19
• 公開（公告）號: CN201348988Y
• 公開（公告）日: 2009-11-18
• 發明（設計）人: 張晨騁
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/02;H01L21/683;B08B3/12
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所
• 代理人: 鄭 瑋

1.一種半導體硅片清洗裝置，包括腔體，所述腔體底部連接有一旋轉平臺，所述旋轉平臺中嵌設有超聲波發生裝置，其特征在于，所述旋轉平臺上對應于超聲波發生裝置上方的位置設有若干用于支撐并固定硅片的支架，所述超聲波發生裝置設有若干出水孔，所述腔體頂部設有若干噴嘴。

2.如權利要求1所述的半導體硅片清洗裝置，其特征在于：所述旋轉平臺直徑為20～50英寸。

3.如權利要求1或2所述的半導體硅片清洗裝置，其特征在于：所述旋轉平臺上放置2～6枚硅片，所述硅片尺寸為4～12英寸。

4.如權利要求1或2所述的半導體硅片清洗裝置，其特征在于：所述旋轉平臺轉速為500～3000轉/分鐘。

5.如權利要求1所述的半導體硅片清洗裝置，其特征在于：所述超聲波發生裝置工作頻率為0.25～2兆赫茲，投射到硅片背面的功率為0.5～5瓦特/平方厘米。

6.如權利要求1所述的半導體硅片清洗裝置，其特征在于：所述出水孔直徑為1/4～1/2英寸。

7.如權利要求1所述的半導體硅片清洗裝置，其特征在于：所述噴嘴的噴灑方式為高壓噴灑或無壓重力下流方式。

8.如權利要求1所述的半導體硅片清洗裝置，其特征在于：所述硅片以真空吸附的方式固定于所述支架上。