[實用新型]并聯雙螺旋導流通道多晶硅還原爐底盤

無效

• 申請號: 200820154686.X
• 申請日: 2008-10-30
• 公開（公告）號: CN201301360Y
• 公開（公告）日: 2009-09-02
• 發明（設計）人: 周積衛;程佳彪;茅陸榮;郝振良
• 申請（專利權）人: 上海森和投資限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B28/14;C01B33/03;F27B17/00
• 代理公司: 上海世貿專利代理有限責任公司
• 代理人: 嚴新德

技術領域：

本實用新型涉及太陽能光伏能源技術領域，尤其涉及多晶硅還原爐，特別是一種并聯雙螺旋導流通道多晶硅還原爐底盤。

背景技術：

多晶硅還原爐采用鐘罩式結構，其中底盤的結構復雜，制造精度要求高。設備運行過程中，由于內部反應溫度極高，需要對底盤進行冷卻，防止底盤受熱變形和絕緣材料失效。現有技術中，還原爐的底盤為雙層結構，中間設置螺旋形冷卻通道。但是，對于大直徑還原爐設備，單螺旋形冷卻通道中流體流動路徑長，流動阻力增加，容易導致底盤徑向方向溫度分布不均，使底盤的上底板產生變形，影響電極底座和硅棒的垂直度；同時底盤中心局部溫度偏高，易使該部位電極密封絕緣墊片失效，導致電極被擊穿。

發明內容：

本實用新型的目的在于提供一種并聯雙螺旋導流通道多晶硅還原爐底盤，所述的這種并聯雙螺旋導流通道多晶硅還原爐底盤要解決現有技術中多晶硅還原爐底盤內冷卻通道路徑過長導致底盤徑向溫度分布不均的技術問題。

本實用新型的這種并聯雙螺旋導流通道多晶硅還原爐底盤包括有底盤法蘭、密封襯環、下底板、上底板、兩個以上數目的混合氣體入口短節、混合氣體出口、冷卻水出口、兩個冷卻水進口、兩個以上數目的電極座、一個第一導流板和一個第二導流板，其中，所述的下底板焊接在所述的底盤法蘭的下端面，所述的上底板焊接在底盤法蘭的上端面，所述的密封襯環焊接在上底板的外圓周上，任意一個所述的混合氣體入口短節均平行于底盤法蘭的軸向并穿過下底板和上底板，任意一個混合氣體入口短節的外壁均與下底板和上底板焊接，任意一個所述的電極座均平行于底盤法蘭的軸向并穿過下底板和上底板，任意一個電極座的外壁均與下底板和上底板焊接，所述的第一導流板和第二導流板均呈螺旋型，第一導流板和第二導流板均固定設置在底盤法蘭中、下底板和上底板之間，第一導流板和第二導流板間隔設置，第一導流板、第二導流板、下底板和上底板之間構成第一螺旋導流通道，第一導流板、第二導流板、底盤法蘭內壁、下底板和上底板之間構成第二螺旋導流通道，所述的第一螺旋導流通道的內端和所述的第二螺旋導流通道的內端在底盤法蘭的中心部會合，所述的兩個冷卻水進口均穿過下底板的邊緣部并與下底板固定連接，其中一個冷卻水進口與第一螺旋導流通道的外端連通，另一個冷卻水進口與第二螺旋導流通道的外端連通，所述的混合氣體出口和冷卻水出口均呈管狀結構，冷卻水出口套設在混合氣體出口的外周，冷卻水出口與混合氣體出口之間設置有冷卻水流動間隙，混合氣體出口設置在底盤法蘭的軸向上并穿過下底板和上底板，冷卻水出口設置在底盤法蘭的軸向上并穿過下底板，所述的冷卻水流動間隙的上端與第一螺旋導流通道內端和第二螺旋導流通道內端的會合部連通。

進一步的，所述的混合氣體入口短節呈同心圓周狀分布，所述的電極座呈同心圓周狀分布。

進一步的，所述的底盤法蘭的上端面與上底板的下側面之間設置有一個環狀溝槽，底盤法蘭的側壁上設置有一個側壁冷卻水進口和一個側壁冷卻水出口，所述的側壁冷卻水進口和側壁冷卻水出口分別與所述的環狀溝槽連通。

進一步的，所述的第一導流板與下底板或上底板間斷焊接固定，所述的第二導流板與下底板或上底板間斷焊接固定。

本實用新型的工作原理是：第一導流板、第二導流板在底盤法蘭、下底板和上底板構成的密閉腔體內分隔出第一螺旋導流通道和第二螺旋導流通道，冷卻水經過第一螺旋導流通道和第二螺旋導流通道，從底盤法蘭中心部的冷卻水出口排出。雙螺旋導流通道的結構縮短了冷卻水流動路徑，提高了流動速度，從而增強了對上底板、電極座和混合氣體入口短節的冷卻效果。底盤法蘭上端面設置的環狀溝槽通入冷卻水后，對密封襯環進行冷卻，防止其受熱而老化失效。

本實用新型和已有技術相比，其效果是積極和明顯的。本實用新型在多晶硅還原爐的底盤中采用導流板構成雙螺旋形導流通道，減小了冷卻水的流動阻力，增強了對上底板、電極座和混合氣體入口短節的冷卻效果，可防止上底板變形，同時，在上底板邊緣設置環狀溝槽對密封襯環進行冷卻，防止墊片老化。

附圖說明：

圖1是本實用新型的并聯雙螺旋導流通道多晶硅還原爐底盤的結構示意圖。

圖2是圖1的剖面結構示意圖。

具體實施方式：

實施例1：