[實用新型]像素結構有效

申請號：	200820154051.X	申請日：	2008-10-15
公開（公告）號：	CN201289850Y	公開（公告）日：	2009-08-12
發明（設計）人：	高孝裕	申請（專利權）人：	上海廣電光電子有限公司
主分類號：	H01L27/12	分類號：	H01L27/12;H01L23/522;H01L29/786;H01L29/41;H01L29/417;G02F1/13;G02F1/1368
代理公司：	上海申匯專利代理有限公司	代理人：	白璧華
地址：	200233上***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	像素結構
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【說明書】：

技術領域

本實用新型涉及一種像素結構，特別是涉及一種薄膜晶體管液晶顯示器(TFTLCD)的像素結構。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(thin?film?transistorliquid?crystal?display，TFT-LCD)是目前最被廣泛使用的一種平面顯示器，它具有低功率、薄形質輕、以及低電壓驅動等優點。隨著面板設計尺寸的不斷增大，制作工藝的復雜度與難度也隨著尺寸的不斷增加而日益升高。因此，在設計上很難兼顧制作工藝的限制以及控制制作工藝誤差對面板顯示品質的影響，而它們是影響產能與良率的重要因素。通常在液晶顯示器的生產過程中，常易受到制作工序污染或靜電破壞，使薄膜晶體管異常的短路或斷路，因而造成像素的點缺陷，如亮點、暗點以及輝點。

圖1為現有技術的液晶顯示裝置的部分像素結構平面示意圖。請參見圖1，柵極線11和數據線13相交處形成有像素電極15。由柵極(位于柵極線11下面，圖未示)，第一半導體電極121、源極電極131與漏極電極132組成的晶體管控制像素電極15的充放電。漏極電極132通過接觸孔14和像素電極15電性接觸。此外，該像素結構還包括由一浮接金屬電極111、一第二半導體電極122、一源極凸起部133和一漏極凸起部134組成的二極管。當該晶體管失效時，可采用激光修復的方法，在修復點135處打點，這樣浮接金屬電極111與源極凸起部133利用熔融的金屬電連接起來，與第二半導體電極122及漏極凸起部134組成一個二極管，從而達到修復的目的。當數據線13處于高電位時，利用二極管的正向導電特性，數據線13的信號寫入到像素電極15上；當數據線13處于低電位時，利用二極管的反向漏電特性對像素電極15進行放電。由于二極管這種單向導通特性，因此無法完全對像素電極15進行放電。

圖2為另一種現有技術的液晶顯示裝置的部分像素結構平面示意圖。請參見如圖2，一柵極線21，一半導體層22，源極電極233，漏極電極231與漏極電極232分別位于像素電極251與像素電極252上。漏極電極231通過接觸孔24和像素電極251電性接觸。這樣在柵極線上對稱分布著兩個晶體管。當像素252上的晶體管失效時，可以利用其位于上一個柵極線上的晶體管進行修復。采用激光修復的方法，利用熔融的金屬在修復點234處將像素電極252與漏極電極232相連接。由于修復后像素電極252的信號完全與像素電極251相同，因此顯示的信號非預定的設計值，而且采用該像素設計，增加柵極的信號延遲。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是提供一種像素結構，可以使修復后的像素正常充放電且獲得預定的目標值。

本實用新型為解決上述技術問題而采用的技術方案是提供一種像素結構，包括：

一柵極電極層，包括一柵極線以及與該柵極線電性隔絕的第一浮接金屬電極；

一柵極絕緣層，設置于所述柵極電極層上；

一半導體層，設置于所述柵極絕緣層上，包括第一半導體電極和第二半導體電極；

一源極/漏極電極層，設置于所述半導體層上，包括一源極電極、一漏極電極、數據線以及第二浮接金屬電極，該源極電極和該數據線相連，該漏極電極上形成有一漏極凸起部，該數據線上形成有一源極凸起部，該第二浮接金屬電極和所述源極電極、漏極電極及數據線電性隔絕；

一柵極電極層，包括一柵極線以及與該柵極線電性隔絕的第一浮接金屬電極；

其中，該源極電極與漏極電極分別與該第一半導體電極部分重疊，該源極凸起部與漏極凸起部分別與該第二半導體電極部分重疊，該第一浮接金屬電極與該第二浮接金屬電極部分重疊。

本實用新型對比現有技術有如下的有益效果：本實用新型像素設計有一浮接的晶體管。當該像素發生點缺陷時，可以利用該晶體管對其進行修復，從而使該像素正常顯示。本實用新型提供的像素結構可以使修復后的像素正常充放電且獲得預定的目標值。

附圖說明

圖1為現有技術的液晶顯示裝置的部分像素結構平面示意圖。