[實用新型]像素結構有效
| 申請號： | 200820154051.X | 申請日： | 2008-10-15 |
| 公開（公告）號： | CN201289850Y | 公開（公告）日： | 2009-08-12 |
| 發明（設計）人： | 高孝裕 | 申請（專利權）人： | 上海廣電光電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12;H01L23/522;H01L29/786;H01L29/41;H01L29/417;G02F1/13;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 上海申匯專利代理有限公司 | 代理人： | 白璧華 |
| 地址： | 200233上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 像素 結構 | ||
【權利要求書】：
1、一種像素結構，包括：
一柵極電極層，包括一柵極線以及與該柵極線電性隔絕的第一浮接金屬電極；
一柵極絕緣層，設置于所述柵極電極層上；
一半導體層，設置于所述柵極絕緣層上，包括第一半導體電極和第二半導體電極；
一源極/漏極電極層，設置于所述半導體層上，包括一源極電極、一漏極電極、數據線以及第二浮接金屬電極，該源極電極和該數據線相連，該漏極電極上形成有一漏極凸起部，該數據線上形成有一源極凸起部，該第二浮接金屬電極和所述源極電極、漏極電極及數據線電性隔絕；
其特征在于，該源極電極與漏極電極分別與該第一半導體電極部分重疊，該源極凸起部與漏極凸起部分別與該第二半導體電極部分重疊，該第一浮接金屬電極與該第二浮接金屬電極部分重疊。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海廣電光電子有限公司，未經上海廣電光電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200820154051.X/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
