[實用新型]沉積室遮擋裝置及相應的沉積室壁

有效

• 申請號: 200820152786.9
• 申請日: 2008-09-05
• 公開（公告）號: CN201250282Y
• 公開（公告）日: 2009-06-03
• 發明（設計）人: 張林;顧琛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C16/04
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所
• 代理人: 屈 蘅;李時云

技術領域

本實用新型涉及半導體制造裝置，特別是涉及一種沉積室壁的結構。

背景技術

沉積室為許多半導體工藝提供了反應環境，例如：離子刻蝕、物理氣相沉積(PVD)及化學氣相沉積(CVD)等。然而，無論何種反應都會對沉積室壁造成污染，而對以后的反應造成不良影響，為此，需要對沉積室進行預防保養(PM)。

以離子刻蝕工藝為例，每次刻蝕之后，沉積室壁上都會沉積許多聚合物；故需要定期對沉積室壁進行清理，即預防保養。然而沉積室壁無法拆卸，其內表面并不平整，為清理過程帶來了很多不便，所以每次預防保養都要花費很長時間。而某些工藝流程(如自對準連接(Self?Alignment?Contact)工藝)達到一定的時數，將會在沉積室壁上形成很厚的聚合物，單純的擦拭無法清理干凈，于是便要采用刮沉積室壁的手段來實現清理。但是，刮下的聚合物會到處亂飛，一旦落入沉積室的角落，將很難清理到，而這樣的環境可能會導致集成電路缺陷等問題的出現。

例如，圖1便示出了現有的一種沉積室的部分截面示意圖。此示例性的沉積室包括蓋組件100、側壁200以及底座(圖中未示)，以界定出一個與外界隔離的反應空間300。而反應空間300內便設置有反應所需的極板、靶以及晶片支撐裝置等。例如，圖中示出了支撐裝置400和上極板500等，其中支撐裝置400用以置放晶片并通過彈簧(或螺柱)600等裝置安裝于底座上，以調整晶片于反應空間300的高度。在對晶片的處理過程中，部分聚合物便沉積在側壁200上，而側壁200通常并非簡單的直筒狀設計，其內表面往往設計有向內突出的部分201，而且為了便于檢測沉積室內的反應情況，也往往在側壁200上開設檢測窗口203等端口，這些都為側壁200的清理帶來了不便，而側壁200又無法拆卸，使得每次預防保養都需要花費很長的時間，降低了設備保養的效率。同時，當聚合物沉積到需要刮掉的程度時，刮下的聚合物將會到處亂飛，落在角落處的聚合物得不到清理時，將會影響到沉積室內所進行的反應，從而導致集成電路缺陷等問題的出現。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是通過一種可拆卸的結構來方便沉積室壁的清理，減少其清理時間，提高預防保養的效率。

為解決以上技術問題，本實用新型提供一種沉積室遮擋裝置，包括：第一環狀部與第二環狀部，其中第一環狀部的外徑大于第二環狀部的外徑。

進一步的，第一環狀部的內徑等于第二環狀部的內徑。

進一步的，第一環狀部與第二環狀部為一體成型。

本實用新型另提供一種沉積室壁，包括：固定壁，包括：第一環狀部與第二環狀部，且第一環狀部的內徑大于第二環狀部的內徑；遮擋壁，包括：第三環狀部與第四環狀部，且第三環狀部的外徑大于第四環狀部的外徑；其中遮擋壁的第四環狀部嵌入固定壁的第二環狀部所確定的反應空間內。

進一步的，第三環狀部的外表面與第一環狀部的內表面相貼合；且第四環狀部的外表面與第二環狀部的內表面相貼合。

進一步的，第一環狀部與第二環狀部的內徑之差等于第三環狀部與第四環狀部的外徑之差。

進一步的，第三環狀部的內徑等于第四環狀部的內徑。

綜上所述，以上的沉積室遮擋裝置的外表面形狀是根據現有沉積室內壁形狀而設計，將其置入沉積室內，使其內表面直接與反應空間相接觸，從而使沉積室內反應所產生的聚合物大部分沉積在遮擋裝置內表面上。這樣，每次預防保養時，可以僅將遮擋裝置取出更換，由于此時沉積室內壁沉積的聚合物很少，對其清理過程簡單，無需進行刮內壁的操作，因此避免了聚合物的亂飛現象，減少了預防保養的時間并降低了集成電路缺陷等問題的出現幾率。

另外，根據以上理念改造后的沉積室壁由固定壁和遮擋壁組成，且遮擋壁的外表面與固定壁的內表面尺寸相應，便于組裝與拆洗，減少了預防保養的時間；另外由遮擋壁的內表面與反應空間直接接觸，而將刮掉聚合物的操作移至沉積室外進行，降低了集成電路缺陷等問題的出現幾率。

附圖說明

圖1為現有的一種沉積室的部分截面示意圖；

圖2為圖1中側壁的部分截面示意圖；

圖3為本實用新型一實施例所提供的沉積室遮擋裝置的截面示意圖；

圖4為圖3中的沉積室遮擋裝置放入沉積室的截面示意圖；

圖5為本實用新型一實施例所提供的沉積室的部分截面示意圖。

具體實施方式

為使本實用新型的技術特征更明顯易懂，下面結合附圖與實施例，對本發明做進一步的描述。