[實用新型]一種中等表面能含氟的太陽能電池面膜無效
| 申請號： | 200820137031.1 | 申請日： | 2008-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN201243021Y | 公開（公告）日： | 2009-05-20 |
| 發明（設計）人： | 林建偉;費植煌;張育政 | 申請（專利權）人： | 蘇州中來太陽能材料技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0203 | 分類號： | H01L31/0203;H01L31/048;B32B27/30;B32B9/04 |
| 代理公司： | 北京金之橋知識產權代理有限公司 | 代理人： | 林建軍 |
| 地址： | 215500江蘇省常*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 中等 表面 能含氟 太陽能電池 面膜 | ||
【權利要求書】：
1、一種中等表面能含氟的太陽能電池面膜，其特征在于：包括由含氟透明材料制成的氟基層和位于在所述氟基層表面的氟硅氧烷化成膜層或硅鈦化成膜層。
2、如權利要求1所述的一種中等表面能含氟的太陽能電池面膜，其特征在于：所述氟硅氧烷化成膜層或硅鈦化成膜層的厚度為0.01微米至5微米。
3、如權利要求1所述的一種中等表面能含氟的太陽能電池面膜，其特征在于：所述氟硅氧烷化成膜層或硅鈦化成膜層的厚度為0.1微米至2微米。
4、如權利要求1所述的一種中等表面能含氟的太陽能電池面膜，其特征在于：所述氟基層的厚度為10微米—500微米。
5、如權利要求1所述的一種中等表面能含氟的太陽能電池面膜，其特征在于：所述氟基層為FEP、PVDF、ETFE或THV基層。
6、如權利要求1所述的一種中等表面能含氟的太陽能電池面膜，其特征在于：所述氟基層表面經等離子氟硅氧烷化處理形成所述氟硅氧烷化成膜層。
7、如權利要求1所述的一種中等表面能含氟的太陽能電池面膜，其特征在于：所述氟基層表面經等離子硅鈦化處理形成所述硅鈦化成膜層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
