[實用新型]一種中等表面能含氟的太陽能電池面膜無效
| 申請號: | 200820137031.1 | 申請日: | 2008-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN201243021Y | 公開(公告)日: | 2009-05-20 |
| 發明(設計)人: | 林建偉;費植煌;張育政 | 申請(專利權)人: | 蘇州中來太陽能材料技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0203 | 分類號: | H01L31/0203;H01L31/048;B32B27/30;B32B9/04 |
| 代理公司: | 北京金之橋知識產權代理有限公司 | 代理人: | 林建軍 |
| 地址: | 215500江蘇省常*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 中等 表面 能含氟 太陽能電池 面膜 | ||
技術領域:
本實用新型涉及一種適用于太陽能電池的組件,尤其涉及一種適用于柔性太陽能電池的面板。同時還涉及一種加工該太陽能電池面膜的制備工藝。
背景技術:
太陽能電池板通常是一個疊層結構,主要包括玻璃表層、EVA密封層、太陽能電池片、EVA密封層和太陽能電池背膜,其中太陽能電池片被兩層EVA密封層密封包裹。太陽能電池面板的主要作用是有高的太陽光透過率良好整體機械強度,另外可以防止水汽滲透到密封層中,影響電池片的使用壽命。因此,現有技術中的太陽能電池的面膜通常采用玻璃面板,這種玻璃面板的透光性比較好,強度也高,防水性能也好。但這種玻璃面板不具有柔性,不能彎曲,易碎。為了提高面膜的整體性能,現有技術中出現了一些針對面膜的改進方案。主要是通過含氟透明材料來代替玻璃,由于含氟材料具有高耐候性、優良的透光率、耐化學性、高的電氣絕緣性能,高的防水性的優點,并且,其具有柔性,可以彎折,重量輕,適合作不規則形狀的太陽能電池。例如,中國專利申請號為CN200710164692.3的發明專利申請,公開日為2008年9月3日,公開了制造具有增強光捕獲的太陽能電池板的方法和裝置,其中提供包括正面和背面的襯底;在正面上層疊包括至少一層或多層交聯含氟聚合物的膜,其中含氟聚合物層或多層具有75至150nm之間的厚度,含氟聚合物層或多層位于包括乙烯共聚物的載體上以使載體與襯底接觸。上述方案主要是在玻璃的表面進行涂膜,使玻璃表面具有含氟材料層。但這種方案同樣具有玻璃面板所具有的缺點。
實用新型內容:
本實用新型所要解決的技術問題克服上述現有技術之不足,提供一種具有中等表面能、高粘結性、高耐刮性的含氟太陽能電池面膜。
按照本實用新型提供的一種中等表面能含氟的太陽能電池面膜,包括由含氟透明材料制成的氟基層和位于所述氟基層表面的氟硅氧烷化成膜層或硅鈦化成膜層。
按照本實用新型提供的一種中等表面能含氟的太陽能電池面膜還具有如下附屬技術特征:
所述氟硅氧烷化成膜層或硅鈦化成膜層的厚度為0.01微米至5微米。
所述氟硅氧烷化成膜層或硅鈦化成膜層的厚度為0.1微米至2微米。
所述氟基層的厚度為10微米—500微米。
所述氟基層為FEP、PVDF、ETFE或THV基層。
所述氟基層表面經等離子氟硅氧烷化處理形成所述氟硅氧烷化成膜層。
所述氟基層表面經等離子硅鈦化處理形成所述硅鈦化成膜層。
按照本實用新型提供的一種中等表面能含氟的太陽能電池面膜具有如下優點:首先,本實用新型對氟基層進行氟硅氧烷化或硅鈦化處理,形成氟硅氧烷化成膜層或硅鈦化成膜層,使得面膜的外表面增加耐刮性,內表面增加與EVA的粘結性,也提高了面膜的透明度;其次,由于形成氟硅氧烷化成膜層或硅鈦化成膜層,使得本實用新型的膜層密實,提高了阻隔性能,尤其對水蒸氣的具有更好阻隔,防潮性能好,電氣性能和耐候性能更好。
附圖說明:
圖1是本實用新型的一種實施例的結構示意圖。
圖2是本實用新型的另一種實施例的結構示意圖。
具體實施方式:
參見圖1,在本實用新型給出的一種中等表面能含氟的太陽能電池面膜的實施例,包括由含氟透明材料制成的氟基層1和位于在所述氟基層1表面的氟硅氧烷化成膜層2。本實用新型的氟基層是由含氟透明材料制成,含氟材料具有較高的防潮、防滲透性,電氣性能和耐候性能也很高,其重量輕,容易加工成其他形狀,且透光性也好,可以充分滿足太陽能電池面膜的需求。但含氟材料的最大缺點是表面能高、憎水,不易粘結。本實用新型由于在面膜上設置了一層氟硅氧烷化成膜層2,從而使面膜的表面能提升,親水化,使其容易粘結。即在保證含氟材料所具有的優點的前提下,克服其本身特性所具有的缺點。因此,本實用新型的面膜的阻隔性更好,整體的防潮性能、電氣性能和耐候性能更好。并且,位于氟基層1外表面的氟硅氧烷化成膜層2使得本實用新型的耐刮性更好,對面膜起到保護作用。而內表面的氟硅氧烷化成膜層使得面膜具有較高的粘結性,更加容易與EVA進行粘結。
在本實用新型給出的上述實施例中,所述氟硅氧烷化成膜層2的厚度為0.01微米至5微米,優選的方案是在0.1微米至2微米之間,具體數值可以選為0.01微米、0.05微米、0.1微米、0.2微米、0.5微米、0.8微米、1微米、1.5微米、2微米。將氟硅氧烷化成膜層2的厚度限定在上述尺寸范圍內可以更好的滿足粘結性的需求,而選擇上述具體厚度值,可以更好的滿足工藝要求,利于氟硅氧烷化成膜層的加工。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





