[實用新型]晶圓清潔裝置

無效

• 申請號: 200820117021.1
• 申請日: 2008-06-13
• 公開（公告）號: CN201278343Y
• 公開（公告）日: 2009-07-22
• 發明（設計）人: 江宗憲;鄭啟民
• 申請（專利權）人: 力鼎精密股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/3205;C23C14/02
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 陳肖梅;謝麗娜

技術領域

本實用新型涉及一種晶圓清潔裝置，特別是有關于一種在晶圓濺鍍制程前清潔與干燥晶圓表面的晶圓清潔裝置。

背景技術

一般而言，晶圓濺鍍膜前的前處理需要兩種制程室以分別完成晶圓表面水氣去除與清潔的程序。傳統用于去除水氣的制程室中所設置的真空加熱器價格昂貴，設備成本負擔沉重。此外，傳統用于清潔晶圓表面的制程室分為感應耦合等離子(ICP；Inductively?Coupled?Plasma)以及遠程等離子源(RPS；Remote?Plasma?Source)兩種清潔方式，此兩種方式的設備與制程成本也很高。進一步，銅制程的晶圓表面氧化物在清潔過程中容易被等離子污染而影響元件功能。由上可知，提供一同時具有清潔與干燥晶圓表面功能、降低設備成本、以及提升制程良率的晶圓清潔裝置便成為半導體制程的重要課題之一。

發明內容

本實用新型的目的在于克服現有技術的不足與缺陷，提出一種晶圓清潔裝置，特別是有關于一種在晶圓濺鍍制程前清潔與干燥晶圓表面的晶圓清潔裝置，通過一加熱裝置使晶圓表面處于一預定反應溫度并通過一工作氣體以產生清潔與干燥晶圓表面的效果。

為達上述目的，本實用新型提供一種晶圓清潔裝置，包括：一制程室；一晶圓載盤，設置于該制程室內；一氣體導入裝置，連接于該制程室；以及一加熱裝置，連接于該制程室，其中，該制程室內具有一工作氣體，該晶圓載盤上設置有一晶圓，該晶圓與該工作氣體具有一預定反應溫度。

本實用新型中所敘述的晶圓清潔裝置，也可應用于銅制程、鋁制程、以及鎢制程的晶圓表面清潔用途。

本實用新型具有以下有益技術效果：本實用新型通過一加熱裝置使晶圓表面處于一預定反應溫度并通過一工作氣體以產生清潔與干燥晶圓表面的效果。

附圖說明

圖1為根據本實用新型一較佳實施例所提供的晶圓清潔裝置示意圖；

圖2為根據本實用新型另一較佳實施例所提供的晶圓清潔裝置示意圖。

圖中符號說明

10、20???晶圓清潔裝置

11、21???制程室

211??????開口

12、22???加熱裝置

13???????晶圓載盤

14???????氣體導入裝置

15???????晶圓

26???????石英板

具體實施方式

以下以具體的實施例，對本實用新型的各形態內容加以詳細說明。

參照圖1，圖1為根據本實用新型所提供的一種晶圓清潔裝置10的示意圖，其中包括一制程室11、一加熱裝置12、一晶圓載盤13、以及一氣體導入裝置14。其中，晶圓載盤13設置于制程室11內，氣體導入裝置14與加熱裝置12則分別連接于制程室11。進一步說明，加熱裝置12使一晶圓15溫升至一預定反應溫度，氣體導入裝置14導入一工作氣體(圖中未顯示)于制程室11內，此時晶圓表面(圖中未顯示)的水氣隨工作氣體的作用而脫離晶圓表面，產生干燥晶圓表面的效果。此外，當晶圓15具有一表面氧化物時，此預定反應溫度也可提供為表面氧化物的氧化還原反應的一工作溫度。當晶圓15溫升至預定反應溫度后導入工作氣體，工作氣體可與表面氧化物產生一氧化還原反應。例如，當表面氧化物為氧化銅時，工作氣體可將氧化銅還原至純銅。

其中，加熱裝置12較佳的為一鹵素燈泡，用以提供一熱輻射源以加熱晶圓15，而工作氣體則可為氫氣、氫氦混合氣、氧氣、氮氣、氨氣、或氫氬混合氣。

又，晶圓清潔裝置10的操作步驟如下：當晶圓15放置于晶圓載盤13上；氣體導入裝置14導入一工作氣體直至壓力到一預定壓力值且壓力達穩定狀態；啟動加熱裝置12對晶圓表面開始加熱，加熱至一預定反應溫度并維持加熱一預定時段；關閉加熱裝置12以及停止導入工作氣體，將制程室11內工作氣體抽真空至一底壓，將晶圓15退出。