[實用新型]晶圓清潔裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200820117021.1
• 申請日: 2008-06-13
• 公開（公告）號: CN201278343Y
• 公開（公告）日: 2009-07-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 江宗憲;鄭啟民
• 申請（專利權(quán)）人: 力鼎精密股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/3205;C23C14/02
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 陳肖梅;謝麗娜

1.一種晶圓清潔裝置，其特征在于，包括：

一制程室；

一晶圓載盤，設(shè)置于該制程室內(nèi)；

一氣體導(dǎo)入裝置，連接于該制程室；以及

一加熱裝置，連接于該制程室，

其中，該制程室內(nèi)具有一工作氣體，該晶圓載盤上設(shè)置有一晶圓，該晶圓與該工作氣體具有一預(yù)定反應(yīng)溫度。

2.如權(quán)利要求1所述的晶圓清潔裝置，其特征在于，該加熱裝置為一鹵素?zé)襞荨?/p>

3.如權(quán)利要求2所述的晶圓清潔裝置，其特征在于，該制程室又包括一開口以及一石英板，該石英板連接于該開口，而該鹵素?zé)襞菰O(shè)置于該石英板外。

4.如權(quán)利要求3所述的晶圓清潔裝置，其特征在于，該石英板經(jīng)由一密封環(huán)連接于該開口。

5.如權(quán)利要求3所述的晶圓清潔裝置，其特征在于，該石英板包括一冷卻管路。

6.如權(quán)利要求2所述的晶圓清潔裝置，其特征在于，該鹵素?zé)襞菥哂幸粺彷椛湓础?/p>

7.如權(quán)利要求1所述的晶圓清潔裝置，其特征在于，該預(yù)定反應(yīng)溫度為該晶圓的干燥過程的一工作溫度。

8.如權(quán)利要求1所述的晶圓清潔裝置，其特征在于，該預(yù)定反應(yīng)溫度為該晶圓的一表面氧化物的氧化還原反應(yīng)的一工作溫度。

9.如權(quán)利要求8所述的晶圓清潔裝置，其特征在于，該表面氧化物為氧化銅，該工作氣體用于將該氧化銅還原至純銅。

10.如權(quán)利要求1所述的晶圓清潔裝置，其特征在于，該工作氣體為氫氣，氫氦混合氣，氧氣，氮氣，氨氣，或氫氬混合氣。

11.如權(quán)利要求1所述的晶圓清潔裝置，其特征在于，該制程室為一銅制程，鋁制程，或鎢制程的制程室。