[實用新型]晶圓清洗設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200820108412.7 | 申請日: | 2008-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN201282132Y | 公開(公告)日: | 2009-07-29 |
| 發(fā)明(設計)人: | 周華;邢程;邊逸軍;陳亮 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/321;B08B3/02 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人: | 李 麗 |
| 地址: | 100176北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 清洗 設備 | ||
技術領域
本實用新型涉及半導體制造技術領域,特別涉及一種晶圓清洗設備。
背景技術
在半導體器件的制造工藝中,清洗是其中最重要和最頻繁的步驟之一。一般來說,在半導體器件的整個制造工藝中,高達20%的步驟為清洗的步驟。清洗的目的是為了避免微量離子和金屬雜質對半導體器件的污染,以至于影響半導體器件的性能和合格率。
通常情況下,晶圓在采用化學試劑清洗之后,都要再用去離子水進行清洗,以去除晶圓表面殘留的清洗試劑,例如中國專利申請第200510000354.3號公開的晶圓清洗方法。
在半導體器件制作工藝中,采用電鍍工藝沉積銅之后,采用H2SO4和H2O2的混合溶液進行清洗,以減薄晶圓邊緣,之后,要采用去離子水清洗晶圓,以清洗晶圓邊緣殘留的清洗劑,清洗工藝完成之后,進入化學機械拋光工藝,以對金屬銅進行平坦化處理。現(xiàn)有的清洗設備參考附圖1所示,包括,用于容納晶圓4和清洗液(去離子水)5來進行晶圓清洗的清洗槽1,清洗槽1內還具有與清洗槽的底座相連用于固定晶圓的晶圓架(圖中未示出),以及與晶圓架相連用于帶動晶圓旋轉的馬達(圖中未示出);用于將清洗液輸送入清洗槽的進液裝置;連通清洗槽,用于將清洗液從清洗槽中排出的排液裝置(圖中未示出);如附圖1中所示,所述的進液裝置包括支架2以及與支架連接的噴嘴3,所述支架連接在清洗槽上,所述噴嘴3的出水口與晶圓架成45度角傾斜,進行清洗時,用于清洗的去離子水的水壓不穩(wěn)定,導致去離子水在晶圓表面上的落點不穩(wěn)定,容易導致晶圓的某幾個部位不能清洗到或者清洗不干凈,而且,清洗過程中晶圓在馬達的帶動下旋轉,而所述裝置的噴嘴只有1個,導致晶圓上不同部位清洗不均勻,晶圓上存在清洗液的殘留。
以銅金屬布線為例,在采用附圖1所示的晶圓清洗設備清洗晶圓之后,進入化學機械拋光工藝,由于晶圓表面的某些部位存在H2SO4和H2O2的混合溶液的殘留,在化學機械拋光工藝中,晶圓表面存在清洗液殘留的部位會產(chǎn)生剝落現(xiàn)象,如附圖2所示,附圖2中用黑線圈出的部分6和7即為化學機械拋光工藝中晶圓表面產(chǎn)生的剝落現(xiàn)象。
因此,必須對設備進行改進,以完全去除晶圓表面的清洗液殘留。
實用新型內容
有鑒于此,本實用新型解決的技術問題是提供一種晶圓清洗裝置,解決現(xiàn)有技術中晶圓清洗設備清洗不均勻以及清洗不夠干凈的缺陷,提高晶圓清洗的均勻性以及效率。
一種晶圓清洗裝置,包括:清洗槽;向清洗槽中通入清洗溶液的進液裝置,所述的進液裝置包括支架,與支架連接的連接管,與連接管連通的一個以上的噴嘴,所述噴嘴向清洗槽中通入清洗溶液。
優(yōu)選的,所述噴嘴數(shù)量為8~20個,所述噴嘴的孔徑為0.6~1.5mm。
優(yōu)選的,所述噴嘴均勻排布。
優(yōu)選的,所述連接管與支架垂直連接。
優(yōu)選的,所述噴嘴與連接管垂直連通。
與現(xiàn)有技術相比,上述方案具有以下優(yōu)點:
本實用新型提供的晶圓清洗裝置,包括:清洗槽;向清洗槽中通入清洗溶液的進液裝置,所述的進液裝置包括支架,與支架連接的連接管,與連接管連通的一個以上的噴嘴,所述噴嘴向清洗槽中通入清洗溶液,由于所述一個以上的噴嘴均勻的將清洗溶液噴至晶圓表面,因此,能夠均勻清洗掉晶圓表面的污染物殘留,尤其是化學試劑殘留。
附圖說明
圖1為現(xiàn)有技術晶圓清洗裝置的結構示意圖;
圖2為現(xiàn)有技術晶圓清洗裝置清洗的晶圓在后續(xù)工藝中產(chǎn)生的缺陷表面;
圖3為本實用新型晶圓清洗裝置的結構示意圖;
圖4為本實用新型晶圓清洗裝置與現(xiàn)有技術晶圓清洗裝置清洗晶圓表面后產(chǎn)生缺陷數(shù)目的對比圖;
圖5為本實用新型又一晶圓清洗裝置與現(xiàn)有技術晶圓清洗裝置清洗晶圓表面后產(chǎn)生缺陷數(shù)目的對比圖。
具體實施方式
為使本實用新型的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂,下面結合附圖對本實用新型的具體實施方式做詳細的說明。
本實用新型的目的在于提供一種晶圓清洗裝置,解決現(xiàn)有技術的晶圓清洗裝置只有一個噴嘴,在清洗晶圓時從噴嘴出來的去離子水在晶圓表面不同部位的清洗力度不同,導致清洗不均勻的缺陷。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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