[實用新型]單晶生長加熱裝置

無效

• 申請號: 200820105687.5
• 申請日: 2008-09-01
• 公開（公告）號: CN201276609Y
• 公開（公告）日: 2009-07-22
• 發明（設計）人: 劉彬國;張學強;張呈沛;何景輝
• 申請（專利權）人: 寧晉晶興電子材料有限公司
• 主分類號: C30B15/14
• 分類號: C30B15/14;C30B15/10
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所
• 代理人: 米文智

技術領域

本實用新型涉及一種單晶生長加熱裝置，屬單晶硅制備設備技術領域。

背景技術

隨著節能技術應用的日益廣泛，單晶硅的需求量日益增大，對單晶硅拉制爐的要求也日益增高，目前業內使用的單晶生長加熱裝置的導流筒均為空心錐形結構，其空心內腔為等厚度環腔，熱屏蔽效果不夠理想，從而影響拉晶質量和合格產品的產量，另外、現有大直徑單晶硅生長加熱裝置的坩堝多采用三瓣堝，在高溫環境、溫度變化的環境中容易損壞，更換成本較高，同時、石英堝的熱變形應力不易得到緩解，影響石英堝的使用壽命，同樣提高了生產成本。

實用新型內容

本實用新型需要解決的技術問題是提供一種單晶生長加熱裝置，通過對其導流筒和坩堝的結構改進，提高產品的產量和質量，降低生產成本。

為解決上述技術問題，本實用新型所采用的技術方案是：

單晶生長加熱裝置，結構中包括，坩堝，坩堝上方設置導流筒，坩堝底部設置支撐坩堝的坩堝支架，包圍坩堝設置筒狀加熱器，加熱器外圍設置保溫筒，所述的導流筒結構設計為帶隔熱空腔的環狀結構，其隔熱空腔下厚上薄。

本實用新型的技術方案的進一步改進在于：導流筒內孔上部為錐形導流段，下部為柱形導流段，二者結合處平滑過渡。

本實用新型的技術方案的進一步改進在于：坩堝為豎直均勻分隔的四瓣結構。

由于采用了上述技術方案，本實用新型取得的技術進步是：

本實用新型的導流筒，由于導流筒底部的隔熱層較厚，可在拉晶過程中可有效屏蔽周圍熱量、提高結晶速度和質量，合理調整導流筒底部與液面的距離可使爐內熱場更加適于拉晶要求。采用四瓣堝可使其壽命延長，降低成本，同時使石英堝的變形應力得到有效緩解。

附圖說明

圖1是單晶生長加熱裝置的結構剖視示意圖。

其中：1、導流筒，1-1、隔熱空腔，1-2、錐形導流段，1-3、柱形導流段，2、坩堝，3、加熱器，4、坩堝支架，5、保溫筒。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型做進一步詳細說明：

如圖1所示，本實用新型結構包括，坩堝2，坩堝2為豎直均勻分隔的四瓣結構，坩堝2底部設置支撐坩堝2的坩堝支架4，包圍坩堝2設置筒狀加熱器3，加熱器3外圍設置保溫筒5，坩堝2上方設置導流筒1，導流筒1結構設計為帶隔熱空腔1-1的環狀結構，其隔熱空腔1-1下厚上薄，導流筒1內孔上部為錐形導流段1-2，下部為柱形導流段1-3，二者結合處平滑過渡。