[實用新型]一種噴淋防污染裝置有效
| 申請號: | 200820094929.5 | 申請日: | 2008-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN201243008Y | 公開(公告)日: | 2009-05-20 |
| 發明(設計)人: | 余仲;黃進權 | 申請(專利權)人: | 深圳市捷佳創精密設備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/306;C23F1/08;B08B17/00 |
| 代理公司: | 深圳市康弘知識產權代理有限公司 | 代理人: | 胡朝陽;孫潔敏 |
| 地址: | 518000廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 噴淋 污染 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及硅材料的酸或堿處理的設備,尤其涉及一種用于硅材料酸或堿處理設備中的噴淋防污染裝置。
背景技術
在硅片、硅料與硅芯的處理中,由于涉及酸或堿處理工序,故需要把酸或堿處理工作區與其它處理(水洗/干燥)工作區分開,以避免酸或堿對后處理工作區的污染。現有避免酸或堿對后處理工作區的污染的做法有:1、通過酸堿工段的抽排風系統來避免酸堿氣的漂移。這樣做要求抽風效果要好,且抽風系統必須連續工作。2、把設備分成兩部分來做,酸洗做一臺設備,堿洗做一臺設備;這樣做由于兩臺設備工藝要連著做,就需人為周轉,會帶來工藝的二次污染。
實用新型內容
本實用新型為了克服現有避免酸或堿對后處理工作區污染的方法的處理難度大、工藝難控制的缺陷,提供一種用于硅材料酸或堿處理設備中的噴淋防污染裝置。
為解決上述技術問題,本實用新型采用如下技術方案:一種設置在酸堿處理的設備內的噴淋防污染裝置,其包括過渡槽、設于過度槽中部上方的噴淋機構、設于該噴淋機構周邊的隔板,所述的隔板及過渡槽均與所述的設備內壁連接,所述過渡槽內部設有傳送機構。
其中,所述傳送機構為帶傳動機構,其傳送起點與終點分別位于過渡槽內兩端。
所述傳送機構上設置有工件籃,傳送機構與噴淋機構下端的距離大于工件籃高度。
所述設備內部的空間被所述的隔板及過渡槽劃分成左、右兩個獨立的工作區,而過渡槽橫跨這兩個工作區。
本實用新型在硅材料進行酸或堿處理的設備中,設置一帶有傳送機構的過渡槽,通過設于分區處(左、右工作區交界處)上方的噴淋機構所噴淋形成的水簾,把左右兩工作區的空氣有效地隔斷,工件籃的傳送由傳送機構實現,這樣左右兩區的氣流就大大的減少互通,起到隔離效果,從而減少酸或堿氣流對后處理工作區的污染。
附圖說明
下面結合附圖和實施例對本實用新型做進一步的說明:
圖1為本實用新型結構示意圖。
具體實施方式
如圖1所示一種硅材料的酸或堿處理設備中的噴淋防污染裝置,其設置在硅材料的酸或堿處理設備內部需要隔離的區域處。本實用新型的優選實施例包括:橫向設置的過渡槽1、縱向設于過度槽中部上方的噴淋機構9、設于該噴淋機構周邊的隔板5,所述的隔板及過渡槽均與所述的設備內壁6緊密連接。過渡槽內部設有一帶傳送機構2,其傳送起點與終點分別位于過渡槽內左右兩端。傳送機構上設置有工件籃3,傳送機構與噴淋機構9下端的距離大于工件籃高度。所述設備是四方框架結構,其內部的空間被所述的隔板5及過渡槽1劃分成兩個獨立的工作區7、8。過渡槽1前后側面的尺寸,若與設備內腔側壁尺寸正好相匹配,則可將設備內腔側壁部分直接與過渡槽1連接;若過渡槽1側面尺寸比設備內腔側壁小,那么其空隙部分設置隔板5隔離。總之確保設備內部空間被隔板及過渡槽1隔離成為相互獨立的左工作區7和右工作區8,而過渡槽1橫跨兩個工作區。
工作時,首先開啟噴淋機構9噴淋形成水簾4,然后將工件放入位于傳送帶上的工件籃3中,再啟動傳送機構2將工件籃從一個工作區傳送到另一個工作區。
本實用新型通過噴淋機構所噴淋形成的水簾,把左右兩工作區的空氣有效地隔斷,工件籃的傳送由傳送機構實現,這樣左右兩工作區的氣流就大大的減少互通,起到隔離效果,從而減少酸或堿氣流對后處理工作區的污染。
上述為本實用新型優選實施例,凡在此原理上改進,均落入本實用新型的保護范圍。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市捷佳創精密設備有限公司,未經深圳市捷佳創精密設備有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200820094929.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種電池保壓夾具
- 下一篇:用于氣體消毒的等離子體發生器
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





