[實用新型]陣列式LED封裝結構

無效

• 申請號: 200820093684.4
• 申請日: 2008-04-28
• 公開（公告）號: CN201187741Y
• 公開（公告）日: 2009-01-28
• 發明（設計）人: 陳小華
• 申請（專利權）人: 東莞市彥升電子有限公司
• 主分類號: F21V19/00
• 分類號: F21V19/00;F21V29/00;H01L23/28;H01L33/00;F21Y101/02
• 代理公司: 深圳市中知專利商標代理有限公司
• 代理人: 林虹;孫皓

技術領域

本實用新型涉及一種半導體器件的封裝結構，特別是一種紅外發光二極管的封裝結構。

背景技術

隨著紅外發光二極管LED的出現，其工作效率越來越高，價格逐漸下降。紅外LED具有工作電壓低，耗電量小，發光效率高，壽命長，光色純，產品本身及其制作過程均無污染，抗沖擊，耐振動，性能穩定，重量輕，體積小的一系列優點，而目前最新的陣列式紅外芯片相對普通的紅外LED具有亮度高、體積小、光線均、角度廣、壽命長的優點，被廣泛用于國防、民用安防夜視監控領域。普通紅外LED由于沿用了傳統的指示燈型LED制造工藝和封裝結構，其封裝熱阻高，不能滿足充分散熱的要求，由于LED產生的熱量不能被散走，隨著LED晶體溫度的升高，LED的發光強度會相應減少，LED光衰加速，從而影響LED的壽命。而陣列式紅外芯片采用高集成工藝，將多顆LED晶體集成，這樣封裝提升LED總功率，但是隨之而來的就是LED散熱問題，目前市面上普遍采用鋁基散熱板或者銅基散熱板作為LED散熱板，由于鋁基板或者銅基板在結構上面有一層環氧樹脂類絕緣層，該絕緣層的導熱系數很低，一般導熱系數在0.8W/M.K～3W/M.K，這就無形當中增加了熱阻，降低了鋁基板或者銅基板的導熱能力。同時由于監控應用的特殊性，多數時間白天紅外LED關閉，夜間啟動，在紅外LED由關閉到啟動這十幾秒之內，LED芯片的溫度由室溫迅速上升到一百多度，或者由啟動到關閉這十幾秒之內，LED芯片的溫度由一百多度迅速下降到室溫，現有技術內的陣列式紅外芯片采用金屬鋁基板或銅基板作為其熱沉，由于金屬的熱膨脹系數與晶體硅的熱膨脹系數相差很大，在LED關閉或者啟動時，導致晶體與金屬基板或者引線與金屬基板之間出現分裂或者裂痕，降低了產品的可靠性。

發明內容

本實用新型的目的是提供一種陣列式LED封裝結構，要解決的技術問題是提高產品的可靠性和穩定性。

本實用新型采用以下技術方案：一種陣列式LED封裝結構，包括基板，基板上順序設置的線路板和芯片，連接芯片的引腳，所述基板與線路板之間通過連接層連接，連接層為導熱系數大于30W/M.K的焊料。

本實用新型的連接層為金錫焊料。

本實用新型的基板上開有孔，引腳設置在孔內，在孔內與引腳之間設有絕緣層，引腳的上端連接芯片。

本實用新型的絕緣層為玻璃絕緣子；所述線路板為陶瓷線路覆銅板。

本實用新型的線路板與所述芯片通過導熱系數大于20W/M.K的固晶材料。

本實用新型的固晶材料采用導電銀膠。

本實用新型的芯片上設有封裝層。

本實用新型的封裝層為硅膠。

本實用新型的基板上鍍有反光膜鍍膜層。

本實用新型的基板中部為凸型或凹型結構，所述基板采用紫銅。

本實用新型與現有技術相比，基板與線路板之間通過連接層連接，連接層為導熱系數大于30W/M.K的焊料，其產品封裝熱阻小，導熱能力更強，利用熱膨脹系數與硅晶體接近的陶瓷線路板作為熱沉，防止晶體與金屬基板或者引線與金屬基板之間出現分裂或者裂痕，有效提高了產品的可靠性和穩定性，同時將陶瓷與銅整體作為支架，增加了產品的機械裝配優點，在銅表面鍍反光膜，提升了LED晶體的出光效率。

附圖說明

圖1是本實用新型實施例1的主視圖。

圖2是圖1沿A-A方向的剖視圖。

圖3是本實用新型實施例2的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本實用新型作進一步詳細說明。

如圖1、圖2所示，本實用新型的陣列式LED封裝結構，具有基板1，基板1為導熱金屬紫銅基板，整個基板1平面為平板狀，也可制成中部凹型或凸型，以利用光效，并易于成品裝配。基板1上開有兩個孔11，所述孔11內設有貫穿于孔11的引腳7，在兩個孔11內與引腳7之間分別設有絕緣層6，絕緣層6為玻璃絕緣子，所述引腳7的上端連接線路板3，線路板3為陶瓷線路覆銅板，陶瓷線路板的導熱系數高，熱膨脹系數接近LED晶體，所述線路板3與基板1之間通過連接層2連接固定，連接層2為導熱系數大于30W/M.K的焊料，如：金錫Sn20Au80，其導熱系數為58W/M.K，這樣減小整個封裝結構的封裝熱阻。