[實(shí)用新型]基于可編程邏輯器件的NAND閃存啟動裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200820093441.0
• 申請日: 2008-04-16
• 公開（公告）號: CN201185088Y
• 公開（公告）日: 2009-01-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳江東;范世杰;游江;魯禮元
• 申請（專利權(quán)）人: 浩通科技(深圳)有限公司
• 主分類號: G11C7/10
• 分類號: G11C7/10
• 代理公司: 深圳市順天達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 郭偉剛

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及NAND閃存，更具體地說，涉及一種基于可編程邏輯器件的NAND閃存啟動裝置。

背景技術(shù)

NAND閃存與NOR閃存是目前嵌入式系統(tǒng)中兩種主要的閃存技術(shù)。與NOR閃存相比，NAND閃存具有低成本、大容量的優(yōu)勢，但同時(shí)由于NAND閃存不能支持片內(nèi)程序執(zhí)行，因此通常用作數(shù)據(jù)存取，而NOR閃存則作為ROM來存儲程序。因此通常在嵌入式系統(tǒng)中同時(shí)要使用NOR閃存和NAND閃存，而無法充分利用NAND閃存的成本優(yōu)勢。另外，有些處理器不支持NAND閃存接口，也只能用NOR閃存來存取數(shù)據(jù)和代碼。有些公司采取了一些變通的方法，如增加一顆NAND閃存控制器，提供其它廣泛使用的接口，如SD、USB接口，但其系統(tǒng)結(jié)構(gòu)復(fù)雜，并且不易支持系統(tǒng)啟動，同時(shí)也要求CPU支持SD或USB接口。另外一些應(yīng)用中，接口芯片提供SRAM接口，片內(nèi)除了NAND閃存控制器，還有SRAM緩存，以支持啟動功能。以上這兩種方法本質(zhì)上是將NOR閃存或SDRAM與NAND閃存集成在一個(gè)芯片內(nèi)，系統(tǒng)體系結(jié)構(gòu)并沒有改變。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題在于，針對現(xiàn)有技術(shù)只能用NAND閃存來做數(shù)據(jù)存儲，必須要用到NOR閃存來存取代碼，而且需要將NOR閃存或SDRAM與NAND閃存集成在一個(gè)芯片內(nèi)才能提供SRAM接口的缺陷，提供一種基于可編程邏輯器件的NAND閃存啟動裝置來利用NAND閃存實(shí)現(xiàn)啟動，如此只需要單片NAND閃存就可完成NAND接口到SDRAM接口的轉(zhuǎn)換，同時(shí)支持代碼和數(shù)據(jù)的存取。

本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：構(gòu)造一種基于可編程邏輯器件的NAND閃存啟動裝置，包括NAND閃存，其還包括與所述NAND閃存連接的NAND閃存控制器，用于將NAND閃存的NAND接口轉(zhuǎn)換為SRAM接口。

在本實(shí)用新型所述的NAND閃存啟動裝置中，所述NAND閃存控制器包括用于根據(jù)輸入的SRAM控制信號SR_CTRL產(chǎn)生NAND控制信號NA_CTRL的指令發(fā)生單元以及與所述指令發(fā)生單元連接的：

用于將SRAM數(shù)據(jù)總線SR_DATA緩存并送到NAND數(shù)據(jù)總線NA_IO的數(shù)據(jù)緩存單元；

用于將SRAM地址總線SR_ADDR譯碼并復(fù)用到NAND數(shù)據(jù)總線NA_IO的地址譯碼單元；

用于通過輸入忙閑指示信號NA_BUSY產(chǎn)生總線等待SR_WAIT控制信號的忙閑指示單元；及

用于在系統(tǒng)啟動時(shí)尋找第一個(gè)功能完好的啟動代碼塊的壞塊探測單元。

在本實(shí)用新型所述的NAND閃存啟動裝置中，所述NAND閃存控制器為可編程邏輯器件CPLD或FPGA。

在本實(shí)用新型所述的NAND閃存啟動裝置中，所述SRAM控制信號SR_CTRL表示一組信號，包括片選信號SR_CS、讀使能信號SR_RD、寫使能信號SR_WR和地址鎖存信號SR_ALE。

在本實(shí)用新型所述的NAND閃存啟動裝置中，所述NAND控制信號NA_CTRL表示一組信號，包括片選信號NA_CS、命令鎖存信號NA_CLE、地址鎖存信號NA_ALE、讀使能信號NA_RD和寫使能信號NA_WR。

實(shí)施本實(shí)用新型的基于可編程邏輯器件的NAND閃存啟動裝置，具有以下有益效果：

1、將NAND閃存總線轉(zhuǎn)換為SRAM總線接口，使得NAND閃存可以與絕大多數(shù)處理器連接，極大的擴(kuò)大了NAND閃存的應(yīng)用范圍；

2、系統(tǒng)可以直接從NAND閃存啟動，省去了NOR閃存，顯著的降低成本；

3、通過調(diào)整SRAM地址到NAND地址空間的映射關(guān)系可以避開壞塊區(qū)域；

4、可以針對特定的嵌入式系統(tǒng)，接口轉(zhuǎn)換模塊配置合適的參數(shù)，達(dá)到最佳效果；

5、利用電路中可編程邏輯的冗余資源，幾乎不增加成本。

附圖說明

下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明，附圖中：

圖1是本實(shí)用新型基于可編程邏輯器件的NAND閃存啟動裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型基于可編程邏輯器件的NAND閃存啟動裝置的NAND閃存控制器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本實(shí)用新型基于可編程邏輯器件的NAND閃存啟動裝置的實(shí)際應(yīng)用之一的邏輯框圖；

圖4是本實(shí)用新型基于可編程邏輯器件的NAND閃存啟動裝置的實(shí)際應(yīng)用之二的邏輯框圖。

具體實(shí)施方式