[實用新型]電阻加熱鉬坩堝提拉法激光晶體生長裝置

有效

• 申請號: 200820063601.7
• 申請日: 2008-05-30
• 公開（公告）號: CN201201983Y
• 公開（公告）日: 2009-03-04
• 發明（設計）人: 周世斌;湯海濤;王國強;葉茂
• 申請（專利權）人: 成都東駿激光有限責任公司
• 主分類號: C30B15/18
• 分類號: C30B15/18
• 代理公司: 成都九鼎天元知識產權代理有限公司
• 代理人: 吳彥峰

1、一種電阻加熱鉬坩堝提拉法激光晶體生長裝置，包括通過氧化鋁墊片(19)連接電極板(16)的托盤(15)，以及置于托盤(15)上的鉬側保溫屏(10、11、12)，鉬側保溫屏(10、11、12)上端設有鉬上保溫屏(5、6、7)，其特征在于：鉬側保溫屏(12)內側裝有電阻加熱器(13)，鉬堝托(9)通過連接體(18)與電極板(16)連接，鉬堝托(9)的外側罩有鉬臺罩(17)，鉬堝托(9)上設有鉬坩堝(8)，鉬坩堝(8)內裝有熔體(4)，電阻加熱器(13)設置在鉬坩堝(8)的周圍，電阻加熱器(13)和鉬側保溫屏(12)之間還設有內屏蔽筒(14)，鉬坩堝(8)上方設有鉬籽晶桿(1)，鉬籽晶桿(1)下端裝有籽晶(2)，籽晶(2)下端位于熔體(4)上方，且鉬籽晶桿(1)、籽晶(2)均位于鉬上保溫屏(5、6、7)的內側。