[實用新型]電阻加熱鉬坩堝提拉法激光晶體生長裝置

有效

• 申請號: 200820063601.7
• 申請日: 2008-05-30
• 公開（公告）號: CN201201983Y
• 公開（公告）日: 2009-03-04
• 發明（設計）人: 周世斌;湯海濤;王國強;葉茂
• 申請（專利權）人: 成都東駿激光有限責任公司
• 主分類號: C30B15/18
• 分類號: C30B15/18
• 代理公司: 成都九鼎天元知識產權代理有限公司
• 代理人: 吳彥峰

技術領域

本實用新型涉及激光晶體結晶工藝學領域。

背景技術

目前國際上普遍采用感應加熱銥坩堝提拉法生長Nd:YAG系列激光晶體，這種方法投入大、生長周期長，晶體濃度低、有核心、成本高。

實用新型內容

本實用新型的目的在于：提供一種電阻加熱鉬坩堝提拉法激光晶體生長裝置，它很好地解決了感應加熱銥坩堝提拉法生長裝置中存在的投入大、生長周期長，晶體濃度低、有核心、生長成本高的問題，并且該裝置結構簡單、溫場穩定，晶體成品率高(>95％)

本實用新型的技術方案是：一種電阻加熱鉬坩堝提拉法激光晶體生長裝置，包括通過氧化鋁墊片連接電極板的托盤，以及置于托盤上的鉬側保溫屏，鉬側保溫屏上端設有鉬上保溫屏，鉬側保溫屏內側裝有電阻加熱器，鉬堝托通過連接體與電極板連接，鉬堝托的外側罩有鉬臺罩，鉬堝托上設有鉬坩堝，鉬坩堝內裝有熔體，電阻加熱器設置在鉬坩堝的周圍，電阻加熱器和鉬側保溫屏之間還設有內屏蔽筒，鉬坩堝上方設有鉬籽晶桿，鉬籽晶桿下端裝有籽晶，籽晶下端位于熔體上方，且鉬籽晶桿、籽晶均位于鉬上保溫屏的內側。

本實用新型在使用時，下降籽晶與銥坩堝內的熔體接觸，通過向上提拉、旋轉籽晶，調整加熱功率，就可不斷生長出晶體。

本實用新型的有益效果是：結構簡單、溫場穩定、投入小，可實現高濃度的無核心、無位錯、無散射的激光晶體生長，并且生長周期短、晶體成品率高(>95％)、生長成本低。

下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型進一步說明。

附圖說明

附圖是本實用新型的結構示意圖；

附圖標記：1是鉬籽晶桿，2是籽晶，3是晶體，4是熔體，5、6、7是鉬上保溫屏，8是鉬坩堝，9是鉬堝托，10、11、12是鉬側保溫屏，13是電阻加熱器，14是內屏蔽筒，15是托盤，16是電極板，17是鉬臺罩，18是連接件，19是氧化鋁墊片。

具體實施方式

如附圖所示，一種電阻加熱鉬坩堝提拉法激光晶體生長裝置，包括通過氧化鋁墊片19連接電極板16的托盤15，以及置于托盤15上的鉬側保溫屏10、11、12，鉬側保溫屏10、11、12上端設有鉬上保溫屏5、6、7，鉬側保溫屏10、11、12內側裝有電阻加熱器14，鉬堝托9通過連接體18與電極板16連接，鉬堝托9的外側罩有鉬臺罩17，鉬堝托9上設有鉬坩堝8，鉬坩堝8內裝有熔體4，電阻加熱器14設置在鉬坩堝8的周圍，便于對鉬坩堝進行加熱，電阻加熱器13和鉬側保溫屏12之間還設有內屏蔽筒14，鉬坩堝8上方設有鉬籽晶桿1，鉬籽晶桿1下端裝有籽晶2，當使用時，下降籽晶2與熔體4接觸，通過向上提拉、旋轉籽晶2，調整加熱功率，就可不斷生長出晶體3，且鉬籽晶桿1、籽晶2均位于鉬上保溫屏5、6、7的內側。

需要說明的是：雖然上述實施例已經詳細描述了本實用新型的結構，但本實用新型并不限于上述實施例，凡是本領域技術人員從上述實施例中不經過創造性勞動就可以想到的替換結構，均屬于本實用新型的保護范圍。