[實用新型]砷化鎵單晶制備設備

無效

• 申請號: 200820037767.1
• 申請日: 2008-07-02
• 公開（公告）號: CN201236221Y
• 公開（公告）日: 2009-05-13
• 發明（設計）人: 袁長勝
• 申請（專利權）人: 袁長勝
• 主分類號: C30B29/42
• 分類號: C30B29/42
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙）
• 代理人: 柏尚春

技術領域

本實用新型涉及制備化合物單晶的設備，尤其是一種砷化鎵單晶制備設備。

背景技術

砷化鎵單晶傳統的生長方法是水平法，即將鎵和砷放在真空密封的石英容器中，放入水平爐的熱場中生長單晶。該裝置是由碳化硅導熱裝置來支撐石英反應管，碳化硅導熱裝置從爐殼中穿過，傳動裝置帶動行走裝置，使爐體在導軌上行走，四區熱場控制器的熱量透過碳化硅導熱裝置輻射到石英反應管，爐體中從右往左分為高、中、低三個溫度區，當整個爐體由機械傳動裝置帶動沿著碳化硅導熱裝置從右向左移動，砷化鎵熔體沿固體砷化鎵籽晶慢慢結晶，從而生長成單晶。由于該傳動裝置與行走裝置采用直接連接式，導軌采用滾輪或者普通導軌，在傳動過程中，容易產生抖動、爬行，撞壞單晶爐，從而影響成品率。

發明內容

發明目的：本實用新型的目的在于提供一種傳動平穩、安全可靠，并有效提高單晶出品率的生產砷化鎵單晶的設備。

技術方案：本實用新型所述的一種砷化鎵單晶制備設備，包括四區熱場控制器、行走裝置、傳動裝置、導軌裝置，其特征在于：傳動裝置與行走裝置之間的連接為軟連接。

所述的軟連接為橡膠軟連接或金屬軟連接。

所述的導軌裝置為滾柱直線導軌裝置，可以進一步加強傳遞的平穩性。

電控裝置通過伺服系統給傳動裝置傳遞信號，傳動裝置根據命令通過軟連接帶動行走裝置，使爐體在在滾柱直線導軌上移動。

本設備由電控裝置控制四區熱場控制器，根據砷化鎵單晶的制備條件調節熱場溫度。

所述的四區熱場控制器外面罩有外殼，可以防止灰塵進入。

有益效果：本實用新型同現有技術相比，減少了在較長時間極慢速情況下行車容易產生爬行、抖動的現象，運行更平穩，從而避免撞壞爐體，使設備運行更加合理，有效提高了砷化鎵單晶的出品率。

附圖說明

附圖是本實用新型的結構示意圖

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型作進一步說明：

如圖所示：本實用新型包括爐殼1，四區熱場控制器2，行走裝置3，傳動裝置4，碳化硅導熱裝置5，滾柱直線導軌裝置6，升降裝置7，支座8。爐殼1和四區熱場控制器2的外殼是由特殊的保溫材料制成，二者緊密安裝。升降裝置7安裝在爐殼1下部，可以根據砷化鎵單晶的成長要求隨機調節主體部分的高度，保證單晶成晶率。根據砷化鎵單晶生長的條件調節電控裝置，設定符合要求的條件，電控裝置控制伺服系統，伺服系統將信號傳給傳動裝置4，傳動裝置4根據系統指令，通過軟連接，帶動行走裝置3，使與行走裝置3連接的四區熱場控制器2及其外殼和爐殼1沿著碳化硅導熱裝置5水平移動。四區熱場控制器2的下部與行走裝置3連接。由于把以前的滾輪或普通導軌改為滾柱直線導軌裝置6，從而有效消除了行走過程中的爬行、抖動現象，使運行更加平穩。傳動裝置4與行走裝置3之間為軟連接，該軟連接為橡膠軟連接或者金屬軟連接，它可以有效的減少傳動過程中的振動，檢修方便，易于拆卸。根據砷化鎵單晶的熱場溫度需求調節電控裝置，設定四區熱場控制器2的溫度，碳化硅導熱裝置5能根據砷化鎵單晶的熱場需求進行自由調節，從而保證整個熱場的需求，使整個砷化鎵單晶的熱場受熱更加均勻，提高了砷化鎵單晶的出品率。同時本實用新型由老式的直接測溫改為增加了恒溫控制裝置，使爐體內四區熱場2控制器測量溫度不受外界環境溫度影響而失真，使拉晶成品率較大幅度提高。

以上所述的僅是本實用新型的優選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以作出若干改進，這些改進也應視為本實用新型的保護范圍。