[實用新型]砷化鎵單晶制備設備無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200820037767.1 | 申請日： | 2008-07-02 |
| 公開（公告）號： | CN201236221Y | 公開（公告）日： | 2009-05-13 |
| 發(fā)明（設計）人： | 袁長勝 | 申請（專利權）人： | 袁長勝 |
| 主分類號： | C30B29/42 | 分類號： | C30B29/42 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙） | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 225009江蘇省揚州市江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 砷化鎵單晶 制備 設備 | ||
【權利要求書】：
1、一種砷化鎵單晶制備設備，包括四區(qū)熱場控制器(2)、行走裝置(3)、傳動裝置(4)、導軌裝置，其特征在于：傳動裝置(4)與行走裝置(3)之間的連接為軟連接。
2、根據(jù)權利要求1所述的砷化鎵單晶制備設備，其特征在于：所述的軟連接為橡膠軟連接或金屬軟連接。
3、根據(jù)權利要求1所述的砷化鎵單晶制備設備，其特征在于：所述的導軌裝置為滾柱直線導軌(6)。
4、根據(jù)權利要求1所述的砷化鎵單晶制備設備，其特征在于：電控裝置通過伺服系統(tǒng)給傳動裝置(4)傳遞信號，傳動裝置(4)根據(jù)命令通過軟連接帶動行走裝置(3)，使爐體在在滾柱直線導軌(6)上移動。
5、根據(jù)權利要求1、2、3或4所述的砷化鎵單晶制備設備，其特征在于：電控裝置控制四區(qū)熱場控制器(2)。
6、根據(jù)權利要求5所述的砷化鎵單晶制備設備，其特征在于：四區(qū)熱場控制器(2)外面罩有外殼。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于袁長勝，未經(jīng)袁長勝許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200820037767.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
