[實用新型]超薄型大電流陶瓷外殼

有效

• 申請號: 200820036760.8
• 申請日: 2008-06-13
• 公開（公告）號: CN201191604Y
• 公開（公告）日: 2009-02-04
• 發明（設計）人: 陳國賢;徐宏偉;耿建標
• 申請（專利權）人: 江陰市賽英電子有限公司
• 主分類號: H01L23/04
• 分類號: H01L23/04
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所
• 代理人: 唐紉蘭

技術領域

本實用新型涉及一種陶瓷管殼，尤其是涉及一種超薄型(≤8mm)大電流陶瓷外殼。特別適合于用作厚度要求8mm以下的低壓大電流器件的封裝外殼。屬于電力電子技術領域。

背景技術

電力電子是現代科學、工業和國防的重要支撐技術。在先進能源、電力、重大先進裝備制造、交通運輸、激光、航空航天、環境保護等領域廣泛應用。目前生產的大多數電力電子產品及裝置還主要基于普通晶閘管。但是隨著晶閘管性能的日益完善、應用領域的不斷推廣，它的派生越來越多。中小功率器件已逐步被模塊取代。還有一些突出單一性能的，像耐高壓、大電流、低壓降等特殊要求的器件用途也非常廣泛。

本實用新型做出之前，以往的低壓大電流器件常常采用數十個器件串聯接，如果采用普通封裝外殼，由于外殼總高一般在26-35mm之間，目前最薄的也要在14mm以上，這樣數十個器件串聯后體積將很大。因此這類器件往往不使用外殼，直接使用3mm厚左右的電極壓接串聯，這樣芯片基本裸露在空氣中，嚴重影響了器件的使用壽命。但8mm以下超薄型封裝外殼存在2個難題：

1、由于外殼總厚度不超過8mm，陰極電極和陽極電極厚度單個不超過3.2mm(芯片厚度最薄1.6mm)。這樣高溫焊接時焊料很容易溢流到電極上下端面，影響電極平整度和電性能。

2、瓷環厚度在4mm左右，爬電距離不足，影響器件耐壓。

發明內容

本實用新型的目的在于克服上述不足，提供一種能實現超薄型封裝的要求的超薄型大電流陶瓷外殼。

本實用新型的目的是這樣實現的：一種超薄型大電流陶瓷外殼，包括蓋和底座，

所述蓋包括陰極法蘭和陰極電極，所述陰極法蘭同心焊接在陰極電極的外緣，

所述底座包括陽極法蘭、陽極密封環、陽極電極和瓷環，所述陽極密封環同心焊接在陽極電極的外緣，所述陽極法蘭、瓷環和陽極密封環自上至下疊合同心焊接，

在所述蓋的陰極電極的下端面外周邊設置有圓弧形環槽I，在陰極電極的外緣設置有圓弧形環槽II；

在所述底座的陽極電極的上端面外周邊設置有圓弧形環槽III，在陽極電極的外緣設置有圓弧形環槽IV；

且所述陰極電極下端面上的圓弧形環槽I與陽極電極上端面上的圓弧形環槽III上下位置相對應；

在所述瓷環的外緣設置有圓弧形環槽V。

以上陰極電極下端面上的圓弧形環槽I和陽極電極上端面上的圓弧形環槽III可以阻止焊料在高溫時溢流到陰極電極下端面和陽極電極上端面；陰極電極外緣上的圓弧形環槽II和陽極電極外緣上的圓弧形環槽IV可以分別阻止焊料在高溫時溢流到陰極電極上端面和陽極電極下端面；瓷環外緣的圓弧形環槽V可以在有限的高度內最大限度地增加瓷環的爬電距離，保證器件的耐壓要求。

本實用新型正是通過多個圓弧形環槽的設計實現了超薄型封裝的要求，并且陽極電極和陰極電極表面經過精密加工，平整度可以小于0.005mm，平行度可以小于0.03mm。為芯片提供良好的接觸。因此特別適合于低壓大電流超薄型器件的封裝。

綜上，本實用新型針對器件性能的要求，提供了一種8mm以下的超薄型封裝外殼，打破傳統外殼26-35mm的厚度范圍和薄型外殼14mm的極限厚度，通過超薄型器件的多個串聯來達到低壓大電流(6000A以上)的要求，既大幅縮小裝置體積，又延長了器件的使用壽命。

附圖說明

圖1為本實用新型超薄型大電流陶瓷外殼的總體結構示意圖。

圖2為實用新型的蓋的局部俯視圖。

圖3為圖2的A-A剖視圖。

圖4為實用新型的底座的局部俯視圖。

圖5為圖4的B-B剖視圖。

圖中：陰極法蘭1、陰極電極2、陽極法蘭3、陽極密封環4、陽極電極5、瓷環6；圓弧形環槽I?2.1、圓弧形環槽II?2.2、陰極電極下端面2.3、陰極電極上端面2.4、圓弧形環槽III?5.1、圓弧形環槽IV?5.2、陽極電極上端面5.3、陽極電極底平面5.4、圓弧形環槽V?6.1。

具體實施方式

參見圖1，本實用新型涉及的超薄型大電流陶瓷外殼，由蓋和底座兩部分組成。

參見圖2、3，蓋主要由陰極法蘭1和陰極電極2組成。陰極法蘭1同心焊接在陰極電極2的外緣。

參見圖4、5，底座主要由陽極法蘭3、陽極密封環4、陽極電極5和瓷環6組成。陽極密封環4同心焊接在陽極電極5的外緣；陽極法蘭3、瓷環6和陽極密封環4自上至下疊合同心焊接。