[實(shí)用新型]薄型焊接式整流橋堆

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200820034731.8
• 申請日: 2008-04-18
• 公開（公告）號: CN201181702Y
• 公開（公告）日: 2009-01-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周根明;葛永明;張洪海
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州固锝電子股份有限公司
• 主分類號: H01L25/03
• 分類號: H01L25/03;H01L23/488;H02M7/219
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 馬明渡

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種二極管橋式整流器，具體涉及一種薄型焊接式整流橋堆。

背景技術(shù)

橋式整流器是由四個(gè)整流二極管組成的一個(gè)橋式結(jié)構(gòu)，它利用二極管的單向?qū)щ娞匦詫涣麟娺M(jìn)行整流，由于橋式整流器對輸入正弦波的利用效率比半波整流高一倍，是對二極管半波整流的一種顯著改進(jìn)，故被廣泛應(yīng)用于交流電轉(zhuǎn)換成直流電的電路中。

隨著電子產(chǎn)品向小型化方向發(fā)展，要求半導(dǎo)體電子器件的外形做得又小又薄，而傳統(tǒng)的微型橋堆采用的是上下兩層的方式將四個(gè)整流二極管按照電路結(jié)構(gòu)焊接組合起來，因此加上環(huán)氧樹脂層的厚度，該產(chǎn)品的總厚度一般在2.5～2.7mm左右，不僅占用了電子產(chǎn)品內(nèi)部比較多的容置空間，且由于多層結(jié)構(gòu)的設(shè)置使得橋堆生產(chǎn)加工的工藝步驟增多，同時(shí)給各層部件安裝定位提出了較高的要求。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型提供一種薄型焊接式整流橋堆，其目的在于解決現(xiàn)有二極管整流橋堆厚度大、各部件定位難及生產(chǎn)工藝復(fù)雜的問題。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：一種薄型焊接式整流橋堆，該整流橋堆的環(huán)氧封裝體內(nèi)部由兩塊連接片、四個(gè)二極管芯片和兩塊框架支撐片組成；在整流橋堆的厚度方向上，兩塊連接片位于上層，四個(gè)二極管芯片位于中間層，兩塊框架支撐片位于下層；在整流橋堆的俯視平面上，第一連接片與第一、第二二極管芯片的正極端固定連接；第二連接片與第三、第四二極管芯片的負(fù)極端固定連接；第一框架支撐片與第一二極管芯片的負(fù)極端和第四二極管芯片的正極端固定連接；第二框架支撐片與第二二極管芯片的負(fù)極端和第三二極管芯片的正極端固定連接；第一連接片上的引腳作為正極輸出端，第二連接片上的引腳作為負(fù)極輸出端，兩塊框架支撐片上的引腳作為交流輸入端。

上述技術(shù)方案中的有關(guān)內(nèi)容解釋如下：

1、上述方案中，所述框架支撐片是框架的一部分，設(shè)于整流橋堆的底部，用于承載二極管芯片等其他部件。

2、上述方案中，所述“在整流橋堆的厚度方向上，兩塊連接片位于上層，四個(gè)二極管芯片位于中間層，兩塊框架支撐片位于下層”是指第一層是連接片設(shè)置層，第二層是二極管芯片布置層，第三層是框架支撐片設(shè)置層，各部件在各層平鋪設(shè)置，有助于減小整流橋堆的整體厚度。

本實(shí)用新型工作原理及優(yōu)點(diǎn)為：本實(shí)用新型采用將各部件分層平鋪設(shè)置的方式，有效的降低了整流橋堆的厚度，并解決了原有整流橋堆各部件定位難的問題，同時(shí)簡化了生產(chǎn)工藝。

附圖說明

附圖1為二極管整流橋堆電路結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖2為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)俯視示意圖；

附圖3為本實(shí)用新型框架支撐片結(jié)構(gòu)俯視示意圖；

附圖4為本實(shí)用新型連接片結(jié)構(gòu)俯視示意圖；

附圖5為圖2的A-A向截面剖視示意圖。

以上附圖中：1、連接片；2、二極管芯片；3、框架支撐片；4、正極輸入端；5、負(fù)極輸入端；6、交流輸出端；7、環(huán)氧封裝體；11、第一連接片；12、第二連接片；21、第一二極管芯片；22、第一二極管芯片；23、第三二極管芯片；24、第四二極管芯片；31、第一框架支撐片；32、第二框架支撐片。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述：

實(shí)施例：參見附圖2～5所示，

一種薄型焊接式整流橋堆，該整流橋堆的環(huán)氧封裝體7內(nèi)部由兩塊連接片1、四個(gè)二極管芯片2和兩塊框架支撐片3組成；

其中：在整流橋堆的厚度方向上(如圖5)，兩塊連接片1位于上層，四個(gè)二極管芯片2位于中間層，兩塊框架支撐片3位于下層，即第一層是連接片1設(shè)置層，第二層是二極管芯片2布置層，第三層是框架支撐片3設(shè)置層，各部件在各層平鋪設(shè)置，有助于減小整流橋堆的整體厚度。

在整流橋堆的俯視平面上(如圖2～4)，第一連接片11與第一、第二二極管芯片21、22的正極端固定連接；第二連接片12與第三、第四二極管芯片23、24的負(fù)極端固定連接；第一框架支撐片31與第一二極管芯片21的負(fù)極端和第四二極管芯片24的正極端固定連接；第二框架支撐片32與第二二極管芯片22的負(fù)極端和第三二極管芯片23的正極端固定連接；

第一連接片11上的引腳作為正極輸出端4，第二連接片12上的引腳作為負(fù)極輸出端5，兩塊框架支撐片3上的引腳作為交流輸入端6。

所述框架支撐片3是框架的一部分，設(shè)于整流橋堆的底部，用于承載二極管芯片2及其他部件。

本實(shí)用新型采用將各部件分層平鋪設(shè)置的方式，有效的降低了整流橋堆的厚度，并解決了原有整流橋堆各部件定位難的問題，同時(shí)簡化了生產(chǎn)工藝。

上述實(shí)施例只為說明本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本實(shí)用新型精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。