[實用新型]可發光輔助校準的定位裝置無效
| 申請號: | 200820000147.0 | 申請日: | 2008-01-04 |
| 公開(公告)號: | CN201153119Y | 公開(公告)日: | 2008-11-19 |
| 發明(設計)人: | 謝柏弘;羅世虎;林憲維 | 申請(專利權)人: | 科毅科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68;H01L21/683;G03F9/00 |
| 代理公司: | 天津三元專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 錢凱 |
| 地址: | 中國*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 輔助 校準 定位 裝置 | ||
1.一種可發光輔助校準的定位裝置,其特征在于包括:
一機臺;
一工作承座,設于該機臺上;
一定位結構,設于該工作承座上;該定位結構具有一第一面及一第二面;
至少一發光部,設于該定位結構上,其可朝該第二面的方向發光;
一真空吸引部,設于該定位結構上,其包括:
一吸引槽道,內凹分布于該定位結構的第二面上;
一第一氣孔,開設于該定位結構的第二面上,且連通該吸引槽道;
一第二氣孔,開設于該定位結構的第一面上;
一通氣道,設于該定位結構內部,且連通該第一氣孔及該第二氣孔,借此,使該真空吸引部產生預定吸引力;
一工作氣體供應部,設于該定位結構內部,其包括:
多個第三氣孔,開設于該定位結構的第二面上,且圍繞于該吸引槽道外周;
一第四氣孔,開設于該定位結構的第一面上,且連通該多個第三氣孔。
2.根據權利要求1所述的可發光輔助校準的定位裝置,其特征在于:
所述真空吸引部又包括一真空產生裝置,該真空產生裝置連通該第二氣孔;
所述工作氣體供應部又包括一氣壓源,該氣壓源連通該第四氣孔。
3.根據權利要求2所述的可發光輔助校準的定位裝置,其特征在于:
所述定位結構的第二面用以設置一第一工件,該第一工件至少具有一可輔助背光的第一標號,該第一標號對準該發光部發出的光線而呈輔助背光狀;
所述真空產生裝置產生一吸力,并經該通氣道、該第一氣孔,而通過該吸引槽道吸引該第一工件,使該第一工件附著于該定位結構的第二面;借此,使一第二工件可于該第一工件上移動,該第二工件上對應該第一標號而具有至少一個可輔助背光的第二標號;
所述氣壓源經該第四氣孔而朝該第三氣孔輸出預定氣體;
所述預定氣體為氮氣。
4.根據權利要求1所述的可發光輔助校準的定位裝置,其特征在于:
所述定位結構由一第一結構及一第二結構組成;
所述發光部、所述真空吸引部與所述工作氣體供應部分別設置于該第一、第二結構上;
所述工作氣體供應部包括:
多個上氣道,對應該多個第三氣孔而設于該定位結構內部;
多個中氣道,對應該上氣道而設于該定位結構內部;
多個下氣道,對應該中氣道而設于該定位結構內部;
又,該第四氣孔連通該多個下氣道。
5.根據權利要求4所述的可發光輔助校準的定位裝置,其特征在于:所述發光部設多個。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





