[發明專利]無核層多層封裝基板的制作方法

有效

• 申請號: 200810305140.4
• 申請日: 2008-10-24
• 公開（公告）號: CN101436548A
• 公開（公告）日: 2009-05-20
• 發明（設計）人: 林文強;王家忠;陳振重
• 申請（專利權）人: 鈺橋半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H05K3/46
• 代理公司: 長沙正奇專利事務所有限責任公司
• 代理人: 何 為

技術領域：

本發明涉及一種無核層多層封裝基板的制作方法，尤指一種以銅核基板為基礎，開始制作多層封裝基板的制作方法，于其中，該多層封裝基板的結構包括具球側柱狀電性接腳接墊與至少一增層線路。

背景技術：

在一般多層封裝基板的制作上，其制作方式通常是由一核心基板開始，經過鉆孔、電鍍金屬、塞孔及雙面線路制作等方式，完成一雙面結構的內層核心板，之后再經由一線路增層制程完成一多層封裝基板。如圖23所示，其為一有核層封裝基板的剖面示意圖。首先，準備一核心基板60，其中，該核心基板60由一具預定厚度的芯層601及形成于此芯層601表面的線路層602所構成，且該芯層601中形成有數個電鍍導通孔603，可藉以連接該芯層601表面的線路層602。

接著如圖24～圖27所示，對該核心基板60實施線路增層制程。首先，是于該核心基板60表面形成一第一介電層61，且該第一介電層61表面并形成有數個第一開口62，以露出該線路層602；之后，以無電電鍍與電鍍等方式于該第一介電層61外露的表面形成一晶種層63，并于該晶種層63上形成一圖案化阻層64，且其圖案化阻層64中有數個第二開口65，以露出部份欲形成圖案化線路的晶種層63；接著，利用電鍍的方式于該第二開口65中形成一第一圖案化線路層66及數個導電盲孔67，并使其第一圖案化線路層66得以透過該數個導電盲孔67與該核心基板60的線路層602做電性導通，然后再進行移除該圖案化阻層64與蝕刻，待完成后形成一第一線路增層結構6a。同樣地，該法可于該第一線路增層結構6a的最外層表面再運用相同的方式形成一第二介電層68及一第二圖案化線路層69的第二線路增層結構6b，以逐步增層方式形成一多層封裝基板。然而，此種制作方法有布線密度低、層數多及流程復雜等缺點。

另外，亦有利用厚銅金屬板當核心材料的方法，可于經過蝕刻及塞孔等方式完成一內層核心板后，再經由一線路增層制程以完成一多層封裝基板。如圖28～圖30所示，其為另一有核層封裝基板的剖面示意圖。首先，準備一核心基板70，該核心基板70由一具預定厚度的金屬層利用蝕刻與樹脂塞孔701以及鉆孔與電鍍通孔702等方式形成的單層銅核心基板70；之后，利用上述線路增層方式，于該核心基板70表面形成一第一介電層71及一?第一圖案化線路層72，藉此構成一具第一線路增層結構7a。該法亦與前述方法相同，還可再利用一次線路增層方式于該第一線路增層結構7a的最外層表面形成一第二介電層73及一第二圖案化線路層74，藉此構成一具第二線路增層結構7b，以逐步增層方式形成一多層封裝基板。然而，此種制作方法不僅其銅核心基板制作不易，且亦與前述方法相同，具有布線密度低及流程復雜等缺點。故，一般無法符合使用者于實際使用時所需。

發明內容：

本發明所要解決的技術問題是：針對上述現有技術的不足，提供一種無核層多層封裝基板的制作方法，使用具高密度的增層線路封裝基板方法所制造，可有效達到改善超薄核層基板板彎翹問題、及簡化傳統增層線路板制作流程，進而達到提高封裝體組裝時的可靠度(Board?Level?Reliability)。

本發明的次要目的在于，從一銅核基板為基礎，開始制作多層封裝基板。其結構包括具球側柱狀電性接腳接墊與至少一增層線路。于其中，各增層線路及置晶側與球側連接的方式是以復數個電鍍盲、埋孔所導通。

本發明的另一目的在于，具有高密度增層線路以提供電子組件相連時所需的繞線，同時含有具保護作用的柱狀接腳，可提高封裝體組裝時的可靠度。

為了解決上述技術問題，本發明所采用的技術方案是：一種無核層多層封裝基板的制作方法，至少包含下列步驟：

(A)提供一銅核基板；

(B)分別于該銅核基板的第一面上形成第一阻層，以及于該銅核基板的第二面上形成完全覆蓋狀的第二阻層，于其中，該第一阻層上形成數個第一開口，并顯露其下該銅核基板的第一面；

(C)于數個第一開口下方形成數個第一凹槽；

(D)移除該第一阻層及該第二阻層；

(E)于數個第一凹槽內形成第一電性阻絕層；

(F)于該銅核基板的第一面與該第一電性阻絕層上形成第一介電層及第一金屬層；

(G)于該第一金屬層與該第一介電層上形成數個第二開口，并顯露其下的銅核基板的第一面；

(H)于數個第二開口中及該第一金屬層上形成第二金屬層；

(I)分別于該第二金屬層上形成第三阻層，以及于該銅核基板的第二面上形成完全覆蓋狀的第四阻層，于其中，該第三阻層上形成數個第三開口；