[發明專利]無核層多層封裝基板的制作方法有效
| 申請號: | 200810305140.4 | 申請日: | 2008-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN101436548A | 公開(公告)日: | 2009-05-20 |
| 發明(設計)人: | 林文強;王家忠;陳振重 | 申請(專利權)人: | 鈺橋半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H05K3/46 |
| 代理公司: | 長沙正奇專利事務所有限責任公司 | 代理人: | 何 為 |
| 地址: | 中國臺灣臺北*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 無核 多層 封裝 制作方法 | ||
1.一種無核層多層封裝基板的制作方法,其特征在于:至少包含下列步驟:
(A)提供一銅核基板;
(B)分別于該銅核基板的第一面上形成第一阻層,以及于該銅核基板的第二面上形成完全覆蓋狀的第二阻層,于其中,該第一阻層上形成數個第一開口,并顯露其下該銅核基板的第一面;
(C)于數個第一開口下方形成數個第一凹槽;
(D)移除該第一阻層及該第二阻層;
(E)于數個第一凹槽內形成第一電性阻絕層;
(F)于該銅核基板的第一面與該第一電性阻絕層上形成第一介電層及第一金屬層;
(G)于該第一金屬層與該第一介電層上形成數個第二開口,并顯露其下的銅核基板的第一面;
(H)于數個第二開口中及該第一金屬層上形成第二金屬層;
(I)分別于該第二金屬層上形成第三阻層,以及于該銅核基板的第二面上形成完全覆蓋狀的第四阻層,于其中,該第三阻層上形成數個第三開口;
(J)移除該第三開口下方的第二金屬層及第一金屬層,并形成第一線路層;
(K)移除該第三阻層及該第四阻層,至此,完成具有銅核基板支撐并具電性連接的單層增層線路基板,再進行步驟(M);
(M)于該單層增層線路基板上進行線路增層結構制作,于其中,在該第一線路層與該第一介電層表面形成第二介電層,并且該第二介電層上形成有數個第四開口,以顯露其下的第一線路層,接著于該第二介電層與數個第四開口表面形成第一晶種層,再分別于該第一晶種層上形成第五阻層,以及于該銅核基板的第二面上形成完全覆蓋狀的第六阻層,其中,該第五阻層上形成有數個第五開口,以顯露其下的第一晶種層,之后于該第五開口中已顯露的第一晶種層上形成第三金屬層,最后再移除該第五阻層、該第六阻層及該第一晶種層,以?在該第二介電層上形成第二線路層,至此,完成具有銅核基板支撐并具電性連接的雙層增層線路基板,再直接進行步驟(L);或者繼續上述步驟(M)增加線路增層結構,形成具更多層的封裝基板后,再進行步驟(L);
(L)于該雙層增層線路基板上進行置晶側線路層與球側柱狀電性接腳接墊的制作,于其中,在該第二線路層表面形成第一防焊層,并且在該第一防焊層上形成數個第六開口,以顯露線路增層結構作為電性連接墊的部分,接著再分別于該銅核基板的第二面上形成第七阻層,并且在該第七阻層上形成數個第七開口,以及于該第一防焊層上形成完全覆蓋狀的第八阻層,之后移除數個第七開口下方的銅核基板,以形成數個柱狀接腳,并再移除該第七阻層與該第八阻層,最后,分別于數個第六開口上形成第一阻障層,以及于數個柱狀接腳上形成第二阻障層,至此,完成具有完整圖案化的置晶側線路層與球側數個柱狀接腳的制作。
2.如權利要求1所述的無核層多層封裝基板的制作方法,其特征在于:所述銅核基板為不含介電層材料的銅板。?
3.如權利要求1所述的無核層多層封裝基板的制作方法,其特征在于:所述第一~八阻層以貼合、印刷或旋轉涂布所為的干膜或濕膜的高感旋光性光阻。?
4.如權利要求1所述的無核層多層封裝基板的制作方法,其特征在于:所述數個第一、三、五及七開口以曝光及顯影方式形成。?
5.如權利要求1所述的無核層多層封裝基板的制作方法,其特征在于:所述步驟C形成數個第一凹槽、該步驟J移除該第一、二金屬層及該步驟M移除該第一晶種層的方式為蝕刻。?
6.如權利要求1所述的無核層多層封裝基板的制作方法,其特征在于:所述第一~八阻層的移除方式為剝離。?
7.如權利要求1所述的無核層多層封裝基板的制作方法,其特征在于:所述第一電性阻絕層以直接壓合或印刷方式形成。?
8.如權利要求1所述的無核層多層封裝基板的制作方法,其特征在于:所述第一電性阻絕層及該第一、二介電層由防焊綠漆、環氧樹脂絕緣膜、苯環丁烯、雙馬來亞酰胺-三氮雜苯樹脂、環氧樹脂板、聚酰亞胺、聚四氟乙烯、或玻璃纖維制成。?
9.如權利要求1所述的無核層多層封裝基板的制作方法,其特征在于:所述第一電性阻絕層及該第一、二介電層由環氧樹脂制成。
10.如權利要求1所述的無核層多層封裝基板的制作方法,其特征在于:所述步驟F以直接壓合該第一介電層及該第一金屬層于其上,或是先貼合該第一介電層后,再形成該第一金屬層。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





