[發(fā)明專利]銅核層多層封裝基板的制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810304559.8 | 申請日： | 2008-09-19 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101677068A | 公開（公告）日： | 2010-03-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 林文強(qiáng);王家忠;陳振重 | 申請（專利權(quán)）人： | 鈺橋半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/48 | 分類號(hào)： | H01L21/48;H05K3/44;H05K3/46 |
| 代理公司： | 長沙正奇專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 | 代理人： | 何 為 |
| 地址： | 中國臺(tái)灣臺(tái)北*** | 國省代碼： | 中國臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 銅核層 多層 封裝 制作方法 | ||
1.一種銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征在于至少包含下列步驟：
(A)提供一銅核基板；
(B)于該銅核基板的第一面上形成一第一介電層及一第一金屬層；
(C)于該第一金屬層及該第一介電層上形成數(shù)個(gè)第一開口，并顯露部分銅核基板第一面；
(D)于數(shù)個(gè)第一開口中及該第一金屬層上形成一第二金屬層；
(E)分別于該第二金屬層上形成一第一阻層，以及于該銅核基板的第二面上形成一完全覆蓋狀的第二阻層，于其中，該第一阻層上并形成數(shù)個(gè)第二開口，并顯露部分的第二金屬層；
(F)移除該第二開口下方的第二金屬層及第一金屬層，并形成一第一線路層；
(G)移除該第一阻層及該第二阻層，至此，完成一具有銅核基板支撐并具電性連接的單層增層線路基板；
(H)于該單層增層線路基板上進(jìn)行一線路增層結(jié)構(gòu)制作，于其中，在該第一線路層及該第一介電層表面形成一第二介電層，并且在該第二介電層上形成數(shù)個(gè)第三開口，以顯露部分第一線路層，接著于該第二介電層與數(shù)個(gè)第三開口表面形成一第一晶種層，再分別于該第一晶種層上形成一第三阻層，以及于該銅核基板的第二面上形成一完全覆蓋狀的第四阻層，并于該第三阻層上形成數(shù)個(gè)第四開口，以顯露部分第一晶種層，之后于該第四開口中已顯露的第一晶種層上形成一第三金屬層，最后移除該第三阻層、該第四阻層及該第一晶種層，以在該第二介電層上形成一第二線路層；至此，完成一具有銅核基板支撐并具電性連接的雙層增層線路基板，并可繼續(xù)本步驟(H)增加線路增層結(jié)構(gòu)，形成具更多層的封裝基板；
(I)于步驟(H)制成的多層增層線路基板上進(jìn)行一置晶側(cè)與球側(cè)線路層制作，于其中，在該第二線路層表面形成一第一防焊層，并且在該第一防焊層上形成數(shù)個(gè)第五開口，以顯露該第二線路層作為電性連接墊的部分；接著減低該銅核基板第二面的銅厚度，并于減銅后的銅核基板第二面上形成一第六阻層，且在該第六阻層上形成數(shù)個(gè)第六開口，之后再分別于數(shù)個(gè)第五開口中形成一第一阻障層，以及于第六開口中形成一第二阻障層，最后移除該第六阻層；至此，完成一具有完整圖案化置晶側(cè)線路層與已圖案化但仍完全電性短路球側(cè)線路層的銅核層多層封裝基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征在于，該銅核基板為一不含介電層材料的銅板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征在于，該步驟(B)以直接壓合該第一介電層及該第一金屬層于其上，或采取貼合該第一介電層后，再形成該第一金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征在于，該第一、二介電層為環(huán)氧樹脂絕緣膜、苯環(huán)丁烯、雙馬來亞酰胺-三氮雜苯樹脂、環(huán)氧樹脂板、聚酰亞胺、聚四氟乙烯或環(huán)氧樹脂其中之一。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征在于，數(shù)個(gè)第一、三開口是先做開銅窗后，再經(jīng)由激光鉆孔的方式形成，亦或以直接激光鉆孔的方式形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征在于，該第二、三金屬層及該第一晶種層的形成方式為無電電鍍與電鍍。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征在于，該第一～五阻層是以貼合、印刷或旋轉(zhuǎn)涂布所為的干膜或濕膜的高感旋光性光阻。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征在于，數(shù)個(gè)第二、三、四及六開口以曝光及顯影的方式形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征在于，該步驟(F)移除該第一、二金屬層及該步驟(H)移除該第一晶種層的方法為蝕刻。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征在于，該第一～五阻層的移除方法為剝離。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征在于，該步驟(I)減低該銅核基板第二面的銅厚度方法為刷磨或蝕刻。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征在于，該第一、二阻障層為電鍍鎳金、無電鍍鎳金、電鍍銀或電鍍錫中之一。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
