[發明專利]間隔片陣列及其制作方法

無效

• 申請號: 200810304233.5
• 申請日: 2008-08-27
• 公開（公告）號: CN101661145A
• 公開（公告）日: 2010-03-03
• 發明（設計）人: 莊信弘
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: G02B7/02
• 分類號: G02B7/02;G03F7/00;G03F1/00;G03F1/08;G03F7/075
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種間隔片陣列，該間隔片陣列具有多個陣列排布的通孔和圍繞該通孔的遮光區，該間隔片陣列的材料為黑化的聚二甲基硅氧烷。

2.如權利要求1所述的間隔片陣列，其特征在于，該通孔為圓臺狀通孔。

3.如權利要求1所述的間隔片陣列，其特征在于，該間隔片陣列的厚度為10至30微米。

4.一種間隔片陣列的制作方法，其包括以下步驟：

提供一個基板，該基板具有一個表面；

利用一灰階光罩，通過曝光及顯影的方法在該基板表面形成圓臺體陣列；

于基板表面未被圓臺體陣列覆蓋的區域形成一黑化的聚二甲基硅氧烷材料層；

固化該聚二甲基硅氧烷材料層；及

翻模，使該聚二甲基硅氧烷材料層與該基板、該若干個圓臺體分離，得到該間隔片陣列。

5.如權利要求4所述的間隔片陣列的制作方法，其特征在于，該圓臺體陣列中每個圓臺體的直徑是沿著遠離該基板的方向逐漸減小。

6.如權利要求4所述的間隔片陣列的制作方法，其特征在于，該形成圓臺體陣列的方法包括以下步驟：

在該基板的表面涂布一負光阻層；

將紫外光通過該灰階光罩照射到該負光阻層上；

對負光阻層進行曝后烤；及

使用顯影劑與負光阻層發生反應，使得未曝光的部分被顯影液洗掉，形成該圓臺體陣列。

7.如權利要求4所述的間隔片陣列的制作方法，其特征在于，該聚二甲基硅氧烷材料層的厚度等于或小于該圓臺體的高度。

8.如權利要求4所述的間隔片陣列的制作方法，其特征在于，該灰階光罩的形成包括以下步驟：

提供一石英基板；

以蒸鍍方式一合金層鍍于石英基板上；及

經曝光及顯影后利用剝離技術完成光罩表面灰階結構。

9.如權利要求8所述的間隔片陣列的制作方法，其特征在于，該合金層的厚度為2.5至10納米。

10.如權利要求8所述的間隔片陣列的制作方法，其特征在于，該灰階結構包括鎳、鉻及鐵。

11.如權利要求10所述的間隔片陣列的制作方法，其特征在于，該鎳、鉻及鐵的重量百分比分別為75％、16％及5％。

12.如權利要求8所述的間隔片陣列的制作方法，其特征在于，該灰階結構具有多個圓臺孔形成的陣列。

13.如權利要求4所述的間隔片陣列的制作方法，其特征在于，利用旋轉涂布法將該聚二甲基硅氧烷材料層形成于該基板表面。

14.如權利要求4所述的間隔片陣列的制作方法，其特征在于，該聚二甲基硅氧烷材料包括黑化劑和硬化劑。

15.如權利要求14所述的間隔片陣列的制作方法，其特征在于，該黑化劑包括碳黑和甲苯。