[發明專利]微弧氧化膜封孔方法無效
| 申請號： | 200810303802.4 | 申請日： | 2008-08-14 |
| 公開（公告）號： | CN101649480A | 公開（公告）日： | 2010-02-17 |
| 發明（設計）人： | 戴豐源;姜傳華;羅勇達;何紀壯;劉偉;敖旭峰 | 申請（專利權）人： | 深圳富泰宏精密工業有限公司 |
| 主分類號： | C25D11/18 | 分類號： | C25D11/18 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518109廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化 膜封孔 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種對微弧氧化膜進行封孔的方法，其特征在于：采用含硅酸乙酯的溶膠體作為封孔劑，對所述微弧氧化膜進行封孔。
2.如權利要求1所述的對微弧氧化膜進行封孔的方法，其特征在于：所述封孔劑為硅酸乙酯的乙醇溶液，所述乙醇為無水乙醇。
3.如權利要求2所述的對微弧氧化膜進行封孔的方法，其特征在于：所述封孔劑中含有氨水及去離子水。
4.如權利要求3所述的對微弧氧化膜進行封孔的方法，其特征在于：所述硅酸乙酯、無水乙醇、氨水及去離子水的體積比為2～4∶25～35∶0.5～1.5∶5～12。
5.如權利要求3所述的對微弧氧化膜進行封孔的方法，其特征在于：所述封孔劑中含有氟硅表面活性劑。
6.如權利要求1所述的對微弧氧化膜進行封孔的方法，其特征在于：所述對微弧氧化膜進行封孔采用浸漬、噴涂或涂抹的方式。
7.如權利要求1所述的對微弧氧化膜進行封孔的方法，其特征在于：封孔后所述封孔劑在微弧氧化膜表面形成一膜層，該膜層的厚度為3～4.5μm。
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