[發(fā)明專利]濕制程系統(tǒng)及濕處理方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810302230.8 | 申請(qǐng)日: | 2008-06-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101610641A | 公開(kāi)(公告)日: | 2009-12-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊智康;李文欽 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 富葵精密組件(深圳)有限公司;鴻勝科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H05K3/00 | 分類號(hào): | H05K3/00;H05K3/38;C23F1/18 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 518103廣東省深圳*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 濕制程 系統(tǒng) 處理 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及濕處理技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種用于水平式濕處理的濕處理系統(tǒng)及濕處理方法。
背景技術(shù)
濕處理(Wet?Process)作為制作電路板過(guò)程中的制作工序,是將處理液,如各種化學(xué)藥液或水噴射于電路基板表面,以實(shí)現(xiàn)鍍通孔、鍍銅、蝕刻、顯影、剝膜、鍍有機(jī)保護(hù)膜、表面改性或清洗等工藝流程。文獻(xiàn)K.W.Lee,A.Viehbeck,Wet?Process?SurfaceModification?of?Dielectric?Polymers,IBM?J.Research?&?Development,1994,38(4)介紹一種通過(guò)濕處理對(duì)電路板中的絕緣層與膠粘層進(jìn)行表面改性方法,以提高電路板中絕緣層與金屬層間的結(jié)合力。
目前,對(duì)預(yù)制電路基板進(jìn)行蝕刻通常包括以下步驟:將該預(yù)制電路基板傳送進(jìn)入噴蝕裝置,該預(yù)制電路基板的基板上的銅層被光掩模部分遮蓋,該光掩模具有抗蝕性。故當(dāng)該噴蝕裝置朝預(yù)制電路基板噴射蝕刻液,該蝕刻液與基板上未被光掩模遮蓋保護(hù)的銅層反應(yīng),使其被蝕刻去除。相反地,被光掩模遮蓋保護(hù)的銅層不與蝕刻液發(fā)生反應(yīng)而被保留,最終形成設(shè)計(jì)線路圖形。
然而,該預(yù)制電路基板在蝕刻過(guò)程中始終向同一方向移動(dòng),使噴射至預(yù)制電路基板表面的蝕刻液沿與該移動(dòng)方向平行或與該移動(dòng)方向夾角較小的方向流動(dòng)速度大于其他方向。如果需要制作包括彎曲的導(dǎo)電線路或向多方向延伸的復(fù)雜導(dǎo)電線路時(shí),由于蝕刻液沿不同方向的流動(dòng)速度不同,會(huì)導(dǎo)致蝕刻液流動(dòng)速度較慢的區(qū)域?qū)?yīng)的蝕刻液更新速度也慢,與該區(qū)域?qū)?yīng)的銅層被蝕刻的速度也相應(yīng)減慢。因此,在經(jīng)過(guò)同一噴蝕裝置噴蝕相同時(shí)間的情況下,該區(qū)域?qū)?yīng)的銅層可能未被蝕刻完全,從而使最終形成的導(dǎo)電線路存在短路等品質(zhì)不良的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
因此,有必要提供一種濕處理系統(tǒng)及濕處理方法,避免由蝕刻不完全引起的導(dǎo)電線路短路的問(wèn)題。
以下將以實(shí)施例說(shuō)明一種濕處理系統(tǒng)及濕處理方法。
一種濕處理系統(tǒng),其包括第一噴液裝置、第二噴液裝置、固持轉(zhuǎn)向裝置及傳送裝置。該第一噴液裝置與第二噴液裝置與傳送裝置相對(duì)設(shè)置,用以噴射液體至位于傳送裝置的待處理物體。該固持轉(zhuǎn)向裝置位于第一噴液裝置與第二噴液裝置之間,并與傳送裝置相對(duì)設(shè)置,用于固持并轉(zhuǎn)動(dòng)經(jīng)第一噴液裝置處理的位于傳送裝置的待處理物體,以使轉(zhuǎn)動(dòng)后的待處理物體再由傳送裝置輸送至第二噴液裝置進(jìn)行處理。
一種使用該濕處理系統(tǒng)的濕處理方法,其包括以下步驟:首先,第一噴液裝置對(duì)待處理物體進(jìn)行第一次濕處理。其次,固持轉(zhuǎn)向裝置固持并轉(zhuǎn)動(dòng)經(jīng)第一次濕處理后位于傳送裝置的待處理物體,進(jìn)而將轉(zhuǎn)動(dòng)后的待處理物體再放置于傳送裝置。再次,第二噴液裝置對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)后的待處理物體進(jìn)行第二次濕處理。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,該濕處理系統(tǒng)在第一噴液裝置與第二噴液裝置之間設(shè)置固持轉(zhuǎn)向裝置,使待處理物體根據(jù)需要轉(zhuǎn)動(dòng)不同的角度后再進(jìn)行濕處理,保證待處理物體的各個(gè)位置均得到充分地濕處理,從而獲得各處質(zhì)量均一的產(chǎn)品。
附圖說(shuō)明
圖1是本技術(shù)方案實(shí)施例提供的濕處理系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本技術(shù)方案實(shí)施例提供的預(yù)制電路基板的俯視圖。
圖3是圖2中預(yù)制電路基板沿III-III線的剖面圖。
圖4是本技術(shù)方案實(shí)施例提供的預(yù)制電路基板進(jìn)行第一濕處理的俯視圖。
圖5是本技術(shù)方案實(shí)施例提供的預(yù)制電路基板進(jìn)行第二濕處理的俯視圖。
圖6是本技術(shù)方案實(shí)施例提供的已形成導(dǎo)電線路的預(yù)制電路基板的剖面圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本技術(shù)方案實(shí)施例提供的濕處理系統(tǒng)作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
請(qǐng)參閱圖1,本技術(shù)方案實(shí)施例提供的濕處理系統(tǒng)10,其包括第一噴液裝置11、第二噴液裝置12、固持轉(zhuǎn)向裝置13、儲(chǔ)液槽14及傳送裝置15。該固持轉(zhuǎn)向裝置13位于第一噴液裝置11與第二噴液裝置12之間。該儲(chǔ)液槽14與第一噴液裝置11、第二噴液裝置12相對(duì)設(shè)置,用于收容第一噴液裝置11與第二噴液裝置12噴射出的處理液。該第一噴液裝置11、第二噴液裝置12及固持轉(zhuǎn)向裝置13與傳送裝置15相對(duì)設(shè)置,該第一噴液裝置11與第二噴液裝置12用以噴射處理液至位于傳送裝置15的待處理物體,該固持轉(zhuǎn)向裝置13用以固持并轉(zhuǎn)動(dòng)經(jīng)第一噴液裝置11處理的位于傳送裝置15的待處理物體,以使經(jīng)轉(zhuǎn)動(dòng)的待處理物體再由傳送裝置15輸送至第二噴液裝置12進(jìn)行處理。
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