[發(fā)明專利]電路板基膜、電路板基板及電路板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810301424.6 | 申請日: | 2008-05-06 |
| 公開(公告)號: | CN101578009A | 公開(公告)日: | 2009-11-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李文欽;林承賢 | 申請(專利權(quán))人: | 富葵精密組件(深圳)有限公司;鴻勝科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H05K1/03 | 分類號: | H05K1/03;H05K9/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518103廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電路板 | ||
1.一種電路板基膜,其包括第一半固化樹脂層、第二半固化樹脂層及夾設(shè)于第一半固化樹脂層和第二半固化樹脂層之間的屏蔽層,其特征在于,所述屏蔽層包括多層由多個碳納米管構(gòu)成的碳納米管膜。
2.如權(quán)利要求1所述的電路板基膜,其特征在于,所述多層碳納米管膜中,每層碳納米管膜中的多個碳納米管相互平行。
3.如權(quán)利要求2所述的電路板基膜,其特征在于,所述屏蔽層中各碳納米管膜中的碳納米管的延伸方向相同。
4.如權(quán)利要求2所述的電路板基膜,其特征在于,所述屏蔽層中相鄰碳納米管膜中的碳納米管的延伸方向成一角度。
5.如權(quán)利要求4所述的電路板基膜,其特征在于,所述屏蔽層包括多層第一碳納米管膜和多層第二碳納米管膜,第一碳納米膜與第二碳納米膜相互交替地排布,第一碳納米管膜中的碳納米管的延伸方向與第二碳納米管膜中的碳納米管的延伸方向成一角度α。
6.如權(quán)利要求5所述的電路板基膜,其特征在于,所述角度α大于0°且小于或等于90°。
7.如權(quán)利要求1所述的電路板基膜,其特征在于,所述屏蔽層的厚度為1微米至50微米。
8.一種電路板基板,其包括電路板基膜和至少一導(dǎo)電層,所述電路板基膜具有相對的兩表面,導(dǎo)電層形成于電路板基膜的至少一表面上,其特征在于,所述電路板基膜為權(quán)利要求1至7任一項所述的電路板基膜。
9.一種電路板,其包括至少一層如權(quán)利要求1至7任一項所述的電路板基膜以及至少一層形成在所述電路板基膜上的導(dǎo)電線路。
10.如權(quán)利要求9所述的電路板,其特征在于,所述電路板基膜設(shè)置于電路板的二相鄰的導(dǎo)電線路層之間。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于富葵精密組件(深圳)有限公司;鴻勝科技股份有限公司,未經(jīng)富葵精密組件(深圳)有限公司;鴻勝科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200810301424.6/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





