[發明專利]一種校對真空設備溫度均勻性的方法有效
| 申請號: | 200810246545.5 | 申請日: | 2008-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN101762340A | 公開(公告)日: | 2010-06-30 |
| 發明(設計)人: | 古宏偉;屈飛;楊發強;杜風貞 | 申請(專利權)人: | 北京有色金屬研究總院 |
| 主分類號: | G01K7/02 | 分類號: | G01K7/02 |
| 代理公司: | 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246 | 代理人: | 童曉琳 |
| 地址: | 100088*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 校對 真空設備 溫度 均勻 方法 | ||
技術領域
本發明屬于校對設備溫度均勻性技術領域,特別涉及一種校對真空設備溫度 均勻性的方法。
背景技術
對于加熱狀態下制備大尺寸材料而言,溫度參數的可重復性、準確性以及大 面積范圍內溫度均勻具有重要意義。通常通過在大面積范圍內改變熱電偶位置來 測量設備溫度的均勻性。但操作過程中很難保持熱電偶位置可重復,因此這種溫 度均勻性測量方法本身會不可避免的引進較大誤差。
發明內容
本發明的目的是提供一種校對真空設備溫度均勻性的方法。
一種校對真空設備溫度均勻性的方法,其特征在于,該方法步驟如下,
(1)將測溫區劃分成小區域;
(2)選擇一種金屬,制備直徑為5~10mm、厚度為0.5~1mm的標準試樣;
(3)將標準試樣放置在加熱器中待測區域內,抽真空,背底真空達到5.0×10-3Pa 時,以20~40℃/s的升溫速率加熱,通過觀察窗觀察標準試樣狀態變化,當觀察 到標準試樣熔化時,讀取熱電偶示數T1,隨后將標準試樣冷卻;
(4)設定升溫速率,先以20~40℃/s的升溫速率升溫至T1以下30℃,然后以 1℃/s的升溫速率升溫,觀察標準試樣狀態,當標準試樣熔化時讀取熱電偶示數 T0;
(5)將標準試樣放置在劃分的其他區域內,重復步驟(4),讀取熱電偶讀數,得 到設備溫度偏差。
所述金屬包括鋅、鋁、鉛或鑭。
本發明的有益效果為:本發明將測溫區域劃分成若干小區域,然后利用晶體 熔點固定這一晶體物理特性,分別測量每個小區域晶體標準試樣熔點的方法,提 供一種準確校對真空設備溫度均勻性的方法。
附圖說明
圖1是測溫區劃分成小區域。
具體實施方式
下面結合實施例對本發明作進一步說明:
實施例1
一種校對真空設備溫度均勻性的方法,該方法步驟如下,
(1)將測溫區劃分成小區域,如圖1所示;
(2)選擇純度為99.9%的鑄態Al做為標準試樣原材料,標準試樣尺寸:直徑 為5mm、厚度為1mm;
(3)將標準試樣放置在加熱器中待測區域23內,抽真空,背底真空達到5.0× 10-3Pa(可以避免標樣表面因氧化或氮化對試驗結果產生影響,并可以避免氣壓 變化對熔點的影響)時,以20℃/s的升溫速率加熱,通過觀察窗觀察標準試樣狀 態變化,當觀察到標準試樣熔化時,讀取熱電偶示數T1=730℃,隨后將標準試 樣冷卻;
(4)設定升溫速率,先以20℃/s的升溫速率升溫至700℃,然后以1℃/s的升 溫速率升溫,觀察標準試樣狀態,當標準試樣熔化時讀取熱電偶示數T0=721℃ (通過緩慢升溫避免升溫速率不同造成標樣熔化溫度不同);
(5)將標準試樣放置在其他待測區域內,重復步驟(4),讀取熱電偶讀數,讀數 值如表1所示,得到設備溫度偏差為5℃。
實施例2
一種校對真空設備溫度均勻性的方法,該方法步驟如下,
(1)將測溫區劃分成小區域,如圖1所示;
(2)選擇純度為99.9%的鑄態Zn做為標準試樣原材料,標準試樣尺寸:直徑 為5mm、厚度為1mm;
(3)將標準試樣放置在加熱器中待測區域23內,抽真空,背底真空達到5.0× 10-3Pa(可以避免標樣表面因氧化或氮化對試驗結果產生影響,并可以避免氣壓 變化對熔點的影響)時,以20℃/s的升溫速率加熱,通過觀察窗觀察標準試樣狀 態變化,當觀察到標準試樣熔化時,讀取熱電偶示數T1=488℃,隨后將標準試 樣冷卻;
(4)設定升溫速率,先以20℃/s的升溫速率升溫至458℃,然后以1℃/s的升 溫速率升溫,觀察標準試樣狀態,當標準試樣熔化時讀取熱電偶示數T0=480℃ (通過緩慢升溫避免升溫速率不同造成標樣熔化溫度不同);
(5)將標準試樣放置在劃分的其他待測區域內,重復步驟(4),讀取熱電偶讀數, 讀數值如表1所示,得到設備溫度偏差為5℃。
表1檢測區域溫度讀數
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