[發明專利]激光照射納米碳化硅粉末材料制備碳化硅晶須的方法

無效

• 申請號: 200810242602.2
• 申請日: 2008-12-31
• 公開（公告）號: CN101476157A
• 公開（公告）日: 2009-07-08
• 發明（設計）人: 趙劍峰;袁鑫;陸英燕;關芳芳;唐陳霞;王利庭;楊亮
• 申請（專利權）人: 南京航空航天大學
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36;C30B29/62;C30B1/02
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司
• 代理人: 魏學成

1、一種激光照射納米碳化硅粉末材料制備碳化硅晶須的方法，其特征在于 包括以下步驟：

(1)、配制粘結劑溶液，對SiC納米粉末顆粒進行造粒，

其中粘結劑溶液為濃度為4％--10％的PVB(聚乙烯醇縮丁醛)，或濃度為 3％--9％的PVA(聚乙烯醇)，或濃度為4％--10％的CMC(羧甲基纖維素鈉)，或濃 度為9％--14％的PEG(聚乙二醇)溶液；

將SiC納米粉末顆粒與上述濃度的粘結劑溶液混合，攪拌均勻，烘干，取 出再攪拌均勻，加入模具型腔；

(2)、采用冷等靜壓原理，對模具施加7MPa--10MPa壓力，并保壓1--5分 鐘，可脫模得到納米SiC粉末壓塊；

(3)、利用激光器沿壓塊直徑方向掃描照射，掃描照射區將被切割開縫， 在縫隙內側兩壁形成均勻致密的掃描照射層，并在掃描照射層上得到β-SiC晶 須；其中激光器參數如下：激光光斑直徑為0.2mm--0.3mm、激光掃描速度取 0.04m/min--0.2m/min、激光功率為250W--450W。