[發明專利]在LED芯片上涂布熒光粉層的方法及LED器件的制造

有效

• 申請號: 200810241906.7
• 申請日: 2008-12-29
• 公開（公告）號: CN101582475A
• 公開（公告）日: 2009-11-18
• 發明（設計）人: 余彬海;李軍政;梁麗芳
• 申請（專利權）人: 佛山市國星光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種熒光粉的涂布方法及半導體器件的制造方法，尤其涉及一種在發光二極管(Light?Emitting?Diode，LED)芯片上涂布熒光粉層的方法以及基于該方法的LED器件的制造方法。

背景技術

發光二極管(Light?Emitting?Diode，LED)是一種固態的半導體器件，它可以直接把電轉化為光。由于LED不含汞、體積小、壽命長、反應速度快、環保、節能，并具有高色彩飽和度等特性，使其應用越來越廣泛，尤其是白光LED，被認為是繼白熾燈、熒光燈以后的第三代照明光源，被廣泛應用在液晶投影裝置、手機背光源、顯示屏幕等。

目前，LED產生白光的方法有多種，其中一種為藍色芯片激發黃色熒光粉混合產生白光，其具體實施方式為由藍色芯片激發黃色熒光粉產生黃色光，芯片發出的藍色光和熒光粉受激產生的黃色光混合得到白光，熒光粉份量的多少將直接影響到產品最終混色光的一致性。

在傳統的白光LED制作過程中，熒光粉的涂布方法為點粉，即將熒光粉混合入A/B膠內，裝入注膠容器，通過氣壓點在安放有LED芯片的支架上或支架上的反射杯內。然而，由于實際生產過程中氣壓的不穩定及熒光粉的沉淀等因素的存在，使得分配在每個LED芯片的熒光粉份量一致性比較差。隨著科技的發展，近年來還出現一些新型涂布工藝：1)如中國發明專利申請公開說明書中公開號為CN1897312公開了一種真空濺射涂布熒光粉工藝，雖然具有均勻涂布的優點，但是由于受熒光粉粒子物理特性的影響，該工藝實現的可能性極小，且成本較高；2)如美國專利公開號為20030181122的專利文件公開了一種光刻顯影的圖形化涂布熒光粉工藝，雖然可以根據芯片特性自行調整熒光粉涂布結構，但是由于受光刻膠材料特性的影響，產品發光效率衰減快；3)勻膠法涂布熒光粉，易受膠體黏度及熒光粉沉淀的影響，?同樣存在一致性難以控制的問題，不適合大批量生產。

發明內容

有鑒于此，須提供一種熒光粉涂布一致性好、工藝簡單、適合大批量生產的在LED芯片上涂布熒光粉層的方法。

另外，還需提供一種工藝簡單、適合大批量生產的LED器件的制造方法。

一種在LED芯片上涂布熒光粉層的方法，包括以下步驟：準備基板，準備熒光粉混合膠，其中，該基板上安裝有LED芯片；準備模具，將基板安裝于模具內，并合模施壓，使基板與模具之間形成空腔，其中，該模具設置有膠體通道以及與LED芯片位置對應的模腔；將熒光粉混合膠沿膠體通道注入模腔，使熒光粉混合膠覆蓋LED芯片并填充基板與模具之間所形成的空腔；熒光粉混合膠在空腔內固化成型；以及待注入的熒光粉混合膠固化后，分離模具與基板，使熒光粉混合膠脫離模具并且結合在基板上，形成熒光粉層。

上述的在LED芯片上涂布熒光粉層的方法，其中：所述準備基板的步驟包括以下步驟：在基板上點粘合劑；將LED芯片平貼在粘合劑上；以及連接LED芯片上的電極和基板上的導電層。

上述的在LED芯片上涂布熒光粉層的方法，其中：所述模具包括上模以及用于支撐并固定基板的下模，其中，所述膠體通道以及與LED芯片位置對應的模腔均設置于上模，所述上模上還設置有排氣孔，以及設置在各個模腔上的注射口，所述膠體通道連接所有注射口。

上述的在LED芯片上涂布熒光粉層的方法，其中：所述將熒光粉混合膠沿膠體通道注入模腔，使熒光粉混合膠覆蓋LED芯片并填充基板與模具之間所形成的空腔是借由活塞推動熒光粉混合膠沿膠體通道進入注射口，熒光粉混合膠通過注射口注入模腔，模腔內的氣體由排氣孔排出。

上述的在LED芯片上涂布熒光粉層的方法，其中：所述模具包括上模以及下模，所述上模上設置有與基板尺寸相配、用于固定基板的容納腔；所述膠體通道以及與LED芯片位置對應的模腔均設置于下模，所述下模上還設置有排氣孔，所述膠體通道連接所有模腔。

上述的在LED芯片上涂布熒光粉層的方法，其中：所述將熒光粉混合膠沿膠體通道注入模腔，使熒光粉混合膠覆蓋LED芯片并填充基板與模具之間?所形成的空腔是借由活塞推動熒光粉混合膠沿膠體通道注入模腔，模腔內的氣體由排氣孔排出。

上述的在LED芯片上涂布熒光粉層的方法，其中：還包括以下步驟：待模具與基板分離后，剪切多余的固化了的熒光粉混合膠。

上述的在LED芯片上涂布熒光粉層的方法，其中：還包括以下步驟：在基板安裝于模具之前或者在基板安裝于模具之后，將模具預熱至熒光粉混合膠的熔解溫度。