[發(fā)明專利]用高能電子輻照提高GdBaCuO高溫超導(dǎo)體性能的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810240068.1 | 申請日: | 2008-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN101747032A | 公開(公告)日: | 2010-06-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 焦玉磊;肖玲;鄭明輝 | 申請(專利權(quán))人: | 北京有色金屬研究總院 |
| 主分類號: | C04B35/45 | 分類號: | C04B35/45;C04B35/622;H01B12/00 |
| 代理公司: | 北京北新智誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11100 | 代理人: | 程鳳儒 |
| 地址: | 100088*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 高能 電子 輻照 提高 gdbacuo 高溫 超導(dǎo)體 性能 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種提高GdBaCuO高溫超導(dǎo)體性能的方法,具體而言涉及利用高能電子輻照提高熔融織構(gòu)GdBaCuO高溫超導(dǎo)體性能的方法。
背景材料
自從1986年發(fā)現(xiàn)高溫超導(dǎo)電性以來,在世界范圍內(nèi)掀起了高溫超導(dǎo)研究熱潮。到目前為止,對高溫超導(dǎo)的材料領(lǐng)域和強(qiáng)電弱電應(yīng)用領(lǐng)域都進(jìn)行了廣泛細(xì)致的研究。對于高溫超導(dǎo)塊材來說,有兩個基本的特性即超導(dǎo)磁懸浮力和俘獲磁場。塊材的磁浮特性可以用于制作超導(dǎo)無接觸輸運(yùn)系統(tǒng),磁浮軸承,飛輪儲能系統(tǒng)等;基于高俘獲磁通的特性,可以制作高溫超導(dǎo)磁體,超導(dǎo)電機(jī)等。因此,制備高性能的超導(dǎo)材料是關(guān)鍵。利用熔融織構(gòu)生長技術(shù)可以制備大尺寸高性能的超導(dǎo)塊材,但是要想獲得能實(shí)用的超導(dǎo)材料,必須進(jìn)一步提高高溫超導(dǎo)塊材的臨界電流密度和單疇尺寸以及塊材的機(jī)械強(qiáng)度。為此,采用元素?fù)诫s、細(xì)化RE211(或RE422)相與輻照等手段來提高樣品的臨界電流密度。
目前,有許多研究者報道用快中子與慢中子對YBCO(釔鋇銅氧)超導(dǎo)塊材進(jìn)行輻照能大幅度提高材料的臨界電流密度。我們也曾用熱中子對YBCO超導(dǎo)塊材進(jìn)行了輻照,并申請了國家發(fā)明專利[ZL?97100759.4],已得到授權(quán)。由于用中子輻照,必須利用原子反應(yīng)堆,實(shí)驗(yàn)周期長,輻照后產(chǎn)生的放射性較強(qiáng),給實(shí)際應(yīng)用帶來不便。因此,需要改進(jìn)現(xiàn)有輻照方法以提高高溫超導(dǎo)材料的臨界電流密度。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種高能電子輻照方法,以提高熔融織構(gòu)GdBaCuO高溫超導(dǎo)體的性能。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種利用高能電子輻照提高熔融織構(gòu)GdBaCuO高溫超導(dǎo)體性能的方法,其中,使用磁場回旋電子加速裝置對熔融織構(gòu)單疇GdBaCuO材料進(jìn)行高能電子輻照,輻照所用電子的能量為2.2Mev或22Mev,電子的電流密度均為200mkA,輻照劑量為1×1017~5×1018e/cm2。
本發(fā)明的有益效果在于,采用高能電子輻照裝置代替中子輻照,高溫超導(dǎo)材料的臨界電流密度得到大幅提高(提高30~70%),該方法操作比較簡便宜行且放射性污染較小。
附圖說明
圖1為77K溫度下GdBaCuO樣品經(jīng)高能電子輻照前后的臨界電流密度隨外磁場的變化關(guān)系曲線,高能電子的能量為2.2MeV,劑量為5×1017e/cm2。
圖2為77K溫度下GdBaCuO樣品經(jīng)高能電子輻照前后的臨界電流密度隨外磁場的變化關(guān)系曲線,高能電子的能量為2.2MeV,劑量為1×1017e/cm2。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1
(一)制備GdBaCuO超導(dǎo)塊材
本發(fā)明的GdBaCuO超導(dǎo)塊材樣品是利用熔融織構(gòu)生長工藝制備的。即把Gd2O3,BaCO3與CuO分別以化學(xué)計(jì)量比Gd∶Ba∶Cu=1∶2∶3與2∶1∶1稱量,然后以固相法合成相應(yīng)的GdBa2Cu2Oy(Gd123)與Gd2BaCuO5(Gd211)粉體。把Gd123與Gd211粉體以適當(dāng)?shù)谋壤旌?,并?jīng)高速振擺球磨混合均勻后,用單軸模壓成型,再采用頂部籽晶結(jié)合熔融織構(gòu)生長工藝(TSMTG)制備單疇GdBaCuO超導(dǎo)塊材。
球磨混合過程中,球磨的時間約為2h,球料的重量比1∶1,料球的材質(zhì)為鋯球,料球的大小為Φ6mm與Φ3mm,數(shù)目比為1∶6;把混合均勻的粉體裝入模具,用約200-270MPa單軸模壓成型,成形后柱體的體積為Φ20mm×12mm;然后在其頂部中心放置尺寸約為2×2×0.5mm?3的NdBaCuO籽晶,使NdBaCuO籽晶的c軸與樣品軸平行;接著把帶有籽晶的樣品置入高溫加熱爐中,升溫至1060-1100℃,保溫10-30分鐘,再用8-10分鐘降溫到1060-1040℃,然后又以0.5-1.5℃/h的降溫速率使溫度下降到1030-1010℃,接著爐冷到室溫;在350℃-400℃用10MPa的高氧壓氣氛爐對熔融織構(gòu)單疇超導(dǎo)塊后處理約50h。
把GdBaCuO超導(dǎo)塊材樣品延解理面切割成尺寸約為3.5×2.0×0.8mm3的小樣品,用于進(jìn)行高能電子輻照實(shí)驗(yàn)。
(二)高能電子輻照實(shí)驗(yàn)
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