[發(fā)明專利]用高能電子輻照提高GdBaCuO高溫超導(dǎo)體性能的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810240068.1 | 申請日： | 2008-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN101747032A | 公開（公告）日： | 2010-06-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 焦玉磊;肖玲;鄭明輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京有色金屬研究總院 |
| 主分類號： | C04B35/45 | 分類號： | C04B35/45;C04B35/622;H01B12/00 |
| 代理公司： | 北京北新智誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11100 | 代理人： | 程鳳儒 |
| 地址： | 100088*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 高能 電子 輻照 提高 gdbacuo 高溫 超導(dǎo)體 性能 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種利用高能電子輻照提高熔融織構(gòu)GdBaCuO高溫超導(dǎo)體性能的方法，其特征在于，使用磁場回旋電子加速裝置對熔融織構(gòu)單疇GdBaCuO高溫超導(dǎo)材料進行高能電子輻照，輻照所用電子的能量為2.2Mev或22Mev，電子的電流密度均為200mkA，輻照劑量為1×1017～5×1018e/cm2。
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