[發(fā)明專利]一種減少硅襯底材料化學機械拋光表面液蝕坑產(chǎn)生的拋光方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200810239456.8 | 申請日: | 2008-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN101752239A | 公開(公告)日: | 2010-06-23 |
| 發(fā)明(設計)人: | 史訓達;林霖 | 申請(專利權)人: | 北京有色金屬研究總院;有研半導體材料股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京北新智誠知識產(chǎn)權代理有限公司 11100 | 代理人: | 郭佩蘭 |
| 地址: | 100088*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 減少 襯底 材料 化學 機械拋光 表面 液蝕坑 產(chǎn)生 拋光 方法 | ||
技術領域:
本發(fā)明涉及一種硅襯底材料的化學機械拋光領域,特別是一種減少硅襯底材料化學機械拋光表面液蝕坑產(chǎn)生的拋光方法
背景技術
化學機械拋光是一個化學腐蝕和機械摩擦作用交替進行的過程,經(jīng)過化學機械拋光處理過的硅襯底材料,可以獲得納米級的表面形貌。因而,化學機械拋光已經(jīng)成為單晶硅襯底和集成電路制造中的關鍵技術之一。而Slurry?Mark(液蝕坑)是在化學機械拋光過程中,由于化學腐蝕作用與機械摩擦作用不平衡,即化學腐蝕作用過于強烈,在硅襯底材料的拋光表面留下的化學腐蝕坑。因此,Slurry?Mark的存在,影響了拋光襯底表面的光潔度和平坦度,造成在后道制程中制作的器件功能失效。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種減少硅襯底材料化學機械拋光表面液蝕坑產(chǎn)生的拋光方法,該方法簡單、有效、且不影響生產(chǎn)效率。
為達到上述的發(fā)明目的,本發(fā)明采用以下技術方案:
這種減少硅襯底材料化學機械拋光表面液蝕坑產(chǎn)生的拋光方法,它采用三步拋光法即:粗拋光、中拋光和精拋光:
粗拋光過程采用溶質(zhì)為粒徑在45~80納米的SiO2顆粒、溶劑為KOH的成品拋光液,它與去離子水的體積比配比為1:(10~35);中拋光過程采用溶質(zhì)為粒徑在5~25納米的SiO2顆粒、溶劑為KOH的成品拋光液,它與去離子水的體積比為1:(15~40);精拋光過程采用溶質(zhì)為粒徑在5~25納米的SiO2顆粒、溶劑為NH4OH的成品拋光液,與去離子水的體積比為1:(30~80);將三個拋光過程的溫度控制在11~40℃;在精拋光過程的最后一個階段,以去離子水或0.1%~10%(體積百分)的拋光用表面活性劑——如Fujimi公司的GLANZOX3500——為拋光液,拋光硅襯底材料表面5~20秒鐘;完成精拋光過程后,馬上將硅襯底材料浸入去離子水中、或者對硅襯底材料表面進行去離子水噴淋5分鐘以上,之后再將其取出放入專用工裝夾具中。
經(jīng)實踐檢測,經(jīng)過此種拋光工藝加工后的硅襯底材料,由SlurryMark缺陷引起的不合格率,可以有效控制在0.1%以內(nèi)。
上述的KOH的成品拋光液系從市場購得,其牌號有:Nacol?2371、Nacol?2354、Nacol?2358、Mazin?SR-310;
上述的NH4OH的成品拋光液系從市場購得,其牌號有:Glanzox3950、NP?8040W。
本發(fā)明的優(yōu)點是方法簡單、有效、且不影響生產(chǎn)效率。
具體實施方式
以下結(jié)合較佳實施例,對本發(fā)明作進一步說明:
實施例1:
粗拋光:取溶質(zhì)為粒徑在45~80納米的SiO2顆粒、溶劑為KOH的成品粗拋光液與去離子水按1:30的體積比進行配比,進行化學機械拋光20分鐘,工藝條件為:流量10L/min、壓力300g/mm2、轉(zhuǎn)速70rpm、溫度40℃;
中拋光:取溶質(zhì)為粒徑在5~25納米的SiO2顆粒、溶劑為KOH的成品中拋光液與去離子水按1:40的體積比進行配比,進行化學機械拋光10分鐘,工藝條件為:流量8L/min、壓力200g/mm2、轉(zhuǎn)速50rpm、溫度35℃;
精拋光:取溶質(zhì)為粒徑在5~25納米的SiO2顆粒、溶劑為NH4OH的成品精拋光液與去離子水按1:80的體積比進行配比,進行化學機械拋光8分鐘,工藝條件為:流量2.4L/min、壓力100g/mm2、轉(zhuǎn)速30rpm、溫度20℃、在精拋光過程的最后一個階段,用去離子水拋光硅襯底材料表面15秒,之后用去離子水對硅襯底材料表面進行噴淋5分鐘。
最后用高倍顯微鏡對最終完成的硅襯底材料表面進行檢測,未發(fā)現(xiàn)Slurry?Mark的存在。
實施例2:
粗拋光:取溶質(zhì)為粒徑在45~80納米的SiO2顆粒、溶劑為KOH的成品粗拋光液與去離子水按1:15的體積比進行配比,進行化學機械拋光25分鐘,工藝條件為:流量8L/min、壓力250g/mm2、轉(zhuǎn)速65rpm、溫度35℃;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





