[發明專利]一種減少硅襯底材料化學機械拋光表面液蝕坑產生的拋光方法

有效

• 申請號: 200810239456.8
• 申請日: 2008-12-10
• 公開（公告）號: CN101752239A
• 公開（公告）日: 2010-06-23
• 發明（設計）人: 史訓達;林霖
• 申請（專利權）人: 北京有色金屬研究總院;有研半導體材料股份有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304
• 代理公司: 北京北新智誠知識產權代理有限公司 11100
• 代理人: 郭佩蘭

1.一種減少硅襯底材料化學機械拋光表面液蝕坑產生的拋光方法，其特征在于：它采用三步拋光法：

(1)、粗拋光：粗拋光過程采用溶質為粒徑在45～80納米的SiO₂顆粒、溶劑為KOH的成品拋光液，上述的含有SiO₂顆粒的KOH的成品拋光液與去離子水的體積比配比為1∶10～35；拋光過程的溫度控制在11～40℃；

(2)中拋光：中拋光過程采用溶質為粒徑在5～25納米的SiO₂顆粒、溶劑為KOH的成品拋光液，與去離子水的體積比配比為1∶15～40；拋光過程的溫度控制在11～40℃；

(3)、精拋光：精拋光過程采用溶質為粒徑在5～25納米的SiO₂顆粒、溶劑為NH₄OH的成品拋光液，與去離子水的體積比配比為1∶(30～80)；拋光過程的溫度控制在11～40℃；

(4)、再精拋光的后期，以去離子水或1％～50％的拋光用表面活性劑為拋光液，拋光硅襯底材料表面5～20秒鐘。

2.根據權利要求1所述的一種減少硅襯底材料化學機械拋光表面液蝕坑產生的拋光方法，其特征在于：它還包括：在完成精拋光過程后，將硅襯底材料浸入去離子水中、或對硅襯底材料表面進行去離子水噴淋不少于5分鐘，再將其取出放入專用工裝夾具中。