[發(fā)明專利]坩堝熔體中制備單晶體的方法及裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200810238303.1 | 申請(qǐng)日: | 2008-12-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101440525A | 公開(kāi)(公告)日: | 2009-05-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉俊成 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 山東理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C30B35/00 | 分類號(hào): | C30B35/00;C30B15/30;C30B15/10;C30B11/00 |
| 代理公司: | 淄博科信專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人: | 吳 紅 |
| 地址: | 255086山東省淄博市*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 坩堝 熔體中 制備 單晶體 方法 裝置 | ||
1.一種坩堝熔體中制備單晶體的裝置,包括晶體生長(zhǎng)爐及其升降系統(tǒng)、坩堝加速旋轉(zhuǎn)系統(tǒng),其特征在于:晶體生長(zhǎng)爐中,凸陶瓷殼體(15)、凹陶瓷殼體(9)上下對(duì)接在一起置于金屬爐殼(5)的中央,保溫塞(17)安裝在凸陶瓷殼體(15)的上方,三者形成爐膛;環(huán)繞爐膛內(nèi)壁由上而下依次布有帶有熱電偶的第四輔助電加熱器(14)、第三輔助電加熱器(13)、帶狀電加熱器(12)、第二輔助電加熱器(10)和第一輔助電加熱器(7),所有電加熱器外接溫度控制器(39);
晶體生長(zhǎng)爐升降系統(tǒng):包括互相平行的多根導(dǎo)向柱(3)、絲杠(22)、中盤(pán)(4)、滑輪配重裝置和驅(qū)動(dòng)裝置,金屬爐殼(5)的下端面固定在中盤(pán)(4)的中央,其上端安裝有起重架(18),導(dǎo)向柱(3)與絲杠(22)平行,且每根導(dǎo)向柱(3)的兩端帶有螺紋并間隙穿過(guò)中盤(pán)(4),其兩端經(jīng)螺栓分別與箱體(1)和頂盤(pán)(16)固定連接,與中盤(pán)(4)螺紋配合的絲杠(22)經(jīng)由第一軸承(20)、第三軸承(26)分別與頂盤(pán)(16)和箱體(1)連接,配重(21)通過(guò)滑輪副(19)與起重架(18)連接,第一控制電機(jī)(28)固定在第一支座(29)上,通過(guò)第三帶輪(30)、第四帶輪(32)與減速器(31)連接,減速器(31)通過(guò)第一帶輪(25)、第二帶輪(27)與絲杠(22)連接;
坩堝加速旋轉(zhuǎn)系統(tǒng):主軸(2)經(jīng)由第二軸承(24)、第四軸承(34)垂直安裝在箱體(1)的上、下端面上,經(jīng)由第五帶輪(35)、第六帶輪(36)與第二控制電機(jī)(38)連接,第二控制電機(jī)(38)安裝在第二支座(37)上,主軸(2)伸出箱體(1)的上端面與三爪卡盤(pán)(23)鍵連接,三爪卡盤(pán)(23)卡緊固定支撐桿(8),坩堝(11)安放在支撐桿(8)上端的凹槽中央,第一控制電機(jī)(28)、第二控制電機(jī)(38)外接電機(jī)控制器(33);
環(huán)繞坩堝(11)的條帶狀電加熱器(12)以一定的速率沿著坩堝(11)的軸向掃過(guò)坩堝(11),坩堝(11)中的原料錠(40)順次熔融、結(jié)晶,同時(shí)坩堝(11)不斷加速、減速轉(zhuǎn)動(dòng),坩堝(11)轉(zhuǎn)速可按照梯形波、三角波或正弦波變化。
2.如權(quán)利要求1所述的坩堝熔體中制備單晶體的裝置,其特征在于:凹陶瓷殼體(9)、凸陶瓷殼體(15)外表面與金屬爐殼(5)內(nèi)表面之間填充保溫材料形成保溫層(6)。
3.如權(quán)利要求1所述的坩堝熔體中制備單晶體的裝置,其特征在于:電機(jī)控制器(33)通過(guò)單片機(jī)編程輸出指令指揮第二控制電機(jī)(38)的轉(zhuǎn)速按照梯形波、三角波或正弦波變化。
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