[發明專利]延長多層單元閃存使用壽命的方法

無效

• 申請號: 200810231888.4
• 申請日: 2008-10-24
• 公開（公告）號: CN101393776A
• 公開（公告）日: 2009-03-25
• 發明（設計）人: 陳淮琰;陳國強
• 申請（專利權）人: 無敵科技（西安）有限公司
• 主分類號: G11C29/00
• 分類號: G11C29/00;G11C16/00
• 代理公司: 西安智邦專利商標代理有限公司
• 代理人: 商宇科

技術領域

本發明涉及一種延長閃存使用壽命的方法，尤其是一種延長多層單元閃存使用壽命的方法。

背景技術

閃存(Flash?Memory)是一種非揮發性內存，在沒有電力施加的情況下，仍可維持內存所儲存的內容，當閃存設置在電子裝置內，仍可改變其所儲存的內容，因而較只讀存儲器(ROM)更適用于各種可攜式電子產品中。

隨著使用者對行動電話、音樂播放機(MP3Player)、可攜式記憶卡等電子產品的儲存容量需求不斷增加的情況下，閃存的制造者也積極增加單芯片中內存的密度，但由于制程細微化的難度愈來愈高，使得增加單芯片的容量密度愈來愈困難，于是閃存逐漸由單層單元(Single-Level?Cell，SLC)轉向多層單元(Multi-Level?Cell，MLC)發展，即利用貫通電極的技術，在有限的芯片封裝空間里，堆棧出更多層的閃存芯片，以達到多層高密度閃存組件而提供更大的儲存容量。

然而，多層單元(MLC)其中一部分被反復讀取后，數據有可能出現錯誤，隨著讀取次數的增加，錯誤個數將會增多，當區塊(Block)內任意一個分頁(Page)的錯誤個數超過錯誤校正碼(ECC)可校正錯誤的最大值時，此分頁(Page)的數據將被破壞，嚴重影響多層單元(MLC)的使用壽命，因而導致多層單元(MLC)讀寫壽命僅為單層單元(SLC)的十分之一甚至是二十分之一。

因此，如何提供一種閃存抹寫流程，避免分頁(Page)的錯誤個數過多而減損閃存的使用壽命，進而使多層單元(MLC)的讀寫壽命可接近單層單元(SLC)，是一個刻不容緩的待解決課題。

發明內容

本發明為解決背景技術中存在的上述技術問題，而提出一種延長多層單元閃存使用壽命的方法，其特殊之處在于：該方法包含下列步驟：

1)提供多層單元閃存，包含記憶區塊；

2)讀取記憶區塊所儲存的數據；

3)以錯誤校正碼單元對數據進行錯誤校正；

4)當數據的錯誤個數超過默認值，抹除記憶區塊的數據；

5)重新寫入數據至記憶區塊。

上述默認值小于錯誤校正碼單元校正錯誤個數的最大值。

上述默認值為錯誤校正碼單元校正錯誤個數的最大值乘以特定值。

上述默認值為錯誤校正碼單元校正錯誤個數的最大值除以特定值。

上述默認值隨著讀取記憶區塊的次數增加而逐漸降低。

一種延長多層單元閃存使用壽命的方法，其特殊之處在于：該方法包含下列步驟：

1)提供多層單元閃存，包含多個記憶區塊；

2)選取記憶區塊作為指定區塊；

3)計算讀取記憶區塊的累積時間；

4)當累積時間超過默認值，抹除指定區塊的數據；

5)重新寫入數據至指定區塊。

上述默認值為固定值。

上述默認值隨著讀取記憶區塊的次數增加而逐漸降低。

上述步驟5)之后還包括步驟6)，在不屬于指定區塊的記憶區塊中設定抹寫記號，并且當累積時間超過默認值時，抹除具有抹寫記號的記憶區塊所儲存的數據。

本發明提供的延長多層單元閃存使用壽命的方法，通過抹除多層單元(MLC)記憶區塊的錯誤數據后，再重新將數據寫入記憶區塊內，以避免多層單元(MLC)所儲存的數據發生錯誤而減耗多層單元(MLC)的使用壽命。同時由于多層單元(MLC)被破壞的有可能不是被讀取分頁(Page)內的內容，而是分頁(Page)所在記憶區塊(Block)內的其它分頁(Page)的內容，因此本發明的另一種延長多層單元閃存使用壽命的方法通過一定時間間隔來按一定規律來重新擦寫多層單元(MLC)上指定部分的數據，可避免多層單元(MLC)所儲存的數據發生錯誤而減耗多層單元(MLC)，達到延長多層單元(MLC)使用壽命的目的。

附圖說明

圖1為本發明延長多層單元閃存使用壽命的方法流程圖；

圖2為本發明另一種延長多層單元閃存使用壽命的方法流程圖。

具體實施方式

參見圖1，本發明延長多層單元閃存使用壽命的方法，包含下列步驟：

步驟101：提供多層單元閃存，包含記憶區塊。

多層單元(MLC)閃存較佳地可為反及型(NAND型)閃存，但不限于此，也可為反或型(NOR型)閃存。而多層單元閃存包含記憶區塊(Block)，每一區塊包含分頁(Page)，用以儲存數據。

步驟102：讀取記憶區塊所儲存的數據。

當使用者開始使用可攜式電子裝置時，即會讀取多層單元閃存的記憶區塊所儲存的數據。